ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

HVCB0805FDD499K

HVCB0805FDD499K

ნაწილი საფონდო: 40014

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD5M00

HVCB2512FKD5M00

ნაწილი საფონდო: 24148

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD10M0

HVCB2512FTD10M0

ნაწილი საფონდო: 24090

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD1K00

HVCB2512FTD1K00

ნაწილი საფონდო: 24065

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD45K3

HVCB2512FTD45K3

ნაწილი საფონდო: 24110

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD4M00

HVCB2512FKD4M00

ნაწილი საფონდო: 24053

წინააღმდეგობა: 4 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206DTC100M

HVCB1206DTC100M

ნაწილი საფონდო: 23031

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD511K

HVCB2512FTD511K

ნაწილი საფონდო: 24083

წინააღმდეგობა: 511 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD20M0

HVCB2512FDD20M0

ნაწილი საფონდო: 24286

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0805FDD10M0

HVCB0805FDD10M0

ნაწილი საფონდო: 36771

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.2W, 1/5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD6M00

HVCB2512FTD6M00

ნაწილი საფონდო: 24128

წინააღმდეგობა: 6 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD10K0

HVCB2512FDD10K0

ნაწილი საფონდო: 24235

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512KTD5G00

HVCB2512KTD5G00

ნაწილი საფონდო: 24072

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB1206JDD120M

HVCB1206JDD120M

ნაწილი საფონდო: 41797

წინააღმდეგობა: 120 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD10K0

HVCB2512FKD10K0

ნაწილი საფონდო: 24102

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD10M0

HVCB2512FKD10M0

ნაწილი საფონდო: 24072

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010DTC10M0

HVCB2010DTC10M0

ნაწილი საფონდო: 22976

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD25K0

HVCB2512FTD25K0

ნაწილი საფონდო: 24114

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD100K

HVCB2512FTD100K

ნაწილი საფონდო: 24075

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDC50M0

HVCB0603FDC50M0

ნაწილი საფონდო: 26905

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD22K6

HVCB2512FTD22K6

ნაწილი საფონდო: 24100

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD562K

HVCB2512FTD562K

ნაწილი საფონდო: 24101

წინააღმდეგობა: 562 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD5M00

HVCB2512FTD5M00

ნაწილი საფონდო: 24066

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD50K0

HVCB2512FTD50K0

ნაწილი საფონდო: 24075

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603JDL3G00

HVCB0603JDL3G00

ნაწილი საფონდო: 26906

წინააღმდეგობა: 3 GOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD3K00

HVCB2512FTD3K00

ნაწილი საფონდო: 24052

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD30M0

HVCB2512FTD30M0

ნაწილი საფონდო: 24099

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FKC121M

HVCB0603FKC121M

ნაწილი საფონდო: 23359

წინააღმდეგობა: 121 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2010FKD400M

HVCB2010FKD400M

ნაწილი საფონდო: 23495

წინააღმდეგობა: 400 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD60K0

HVCB2512FKD60K0

ნაწილი საფონდო: 24051

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FDD60K0

HVCB2512FDD60K0

ნაწილი საფონდო: 24267

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD30M0

HVCB2512FKD30M0

ნაწილი საფონდო: 24107

წინააღმდეგობა: 30 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB0603FDC100M

HVCB0603FDC100M

ნაწილი საფონდო: 26943

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.06W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD100K

HVCB2512FKD100K

ნაწილი საფონდო: 24082

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FKD330K

HVCB2512FKD330K

ნაწილი საფონდო: 24116

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512FTD330K

HVCB2512FTD330K

ნაწილი საფონდო: 24138

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი