ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

CSRF2010FK100L

CSRF2010FK100L

ნაწილი საფონდო: 7400

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant,

სასურველი
RNCS0402BTC10R0

RNCS0402BTC10R0

ნაწილი საფონდო: 1741

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CSRL2512JK1L00

CSRL2512JK1L00

ნაწილი საფონდო: 7422

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CSRF2512FK150L

CSRF2512FK150L

ნაწილი საფონდო: 7380

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CSRF2512FK25L0

CSRF2512FK25L0

ნაწილი საფონდო: 1741

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM4527JT5L00

SM4527JT5L00

ნაწილი საფონდო: 7295

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding,

სასურველი
SM4527FTR806

SM4527FTR806

ნაწილი საფონდო: 7293

წინააღმდეგობა: 806 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT100R

HPC12JT100R

ნაწილი საფონდო: 7199

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512BDE1M00

HVCB2512BDE1M00

ნაწილი საფონდო: 8474

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT8R20

HPC12JT8R20

ნაწილი საფონდო: 7190

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB250R

HPC12JB250R

ნაწილი საფონდო: 7213

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JTR100

HPC12JTR100

ნაწილი საფონდო: 7212

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB47R0

HPC12JB47R0

ნაწილი საფონდო: 7099

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HVCB2512CDC100M

HVCB2512CDC100M

ნაწილი საფონდო: 8424

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
RNCS1206DTC1R00

RNCS1206DTC1R00

ნაწილი საფონდო: 7305

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR590

SM4527FTR590

ნაწილი საფონდო: 7286

წინააღმდეგობა: 590 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR825

SM4527FTR825

ნაწილი საფონდო: 7299

წინააღმდეგობა: 825 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT500R

HPC12JT500R

ნაწილი საფონდო: 7259

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT12R0

HPC12JT12R0

ნაწილი საფონდო: 7275

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT1R00

HPC12JT1R00

ნაწილი საფონდო: 7234

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR750

SM4527JTR750

ნაწილი საფონდო: 7037

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT2R00

HPC12JT2R00

ნაწილი საფონდო: 7182

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
RNCS0603CTE4R70

RNCS0603CTE4R70

ნაწილი საფონდო: 7302

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RNCS0402DTE10R0

RNCS0402DTE10R0

ნაწილი საფონდო: 7340

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Corrosive, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR200

SM4527JTR200

ნაწილი საფონდო: 7291

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR866

SM4527FTR866

ნაწილი საფონდო: 7278

წინააღმდეგობა: 866 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JT1K00

HPC12JT1K00

ნაწილი საფონდო: 7276

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FTR887

SM4527FTR887

ნაწილი საფონდო: 1814

წინააღმდეგობა: 887 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR360

SM4527JTR360

ნაწილი საფონდო: 7295

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR560

SM4527JTR560

ნაწილი საფონდო: 7319

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HPC12JB5R10

HPC12JB5R10

ნაწილი საფონდო: 7189

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C,

სასურველი
SM4527FT5L00

SM4527FT5L00

ნაწილი საფონდო: 7213

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding,

სასურველი
SM4527FTR931

SM4527FTR931

ნაწილი საფონდო: 7250

წინააღმდეგობა: 931 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CSRF2512FK60L0

CSRF2512FK60L0

ნაწილი საფონდო: 7118

წინააღმდეგობა: 60 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR330

SM4527JTR330

ნაწილი საფონდო: 7265

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
SM4527JTR150

SM4527JTR150

ნაწილი საფონდო: 7277

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი