კრისტალები

ABM10W-24.5760MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.5760MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146986

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-26.0410MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-26.0410MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147022

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-25.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-25.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146988

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.4000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-38.4000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146997

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-29.4912MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-29.4912MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146942

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.3220MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-28.3220MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146952

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.8800MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-38.8800MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146993

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-42.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-42.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146935

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-23.5120MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-23.5120MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146986

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 23.512MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5727MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.5727MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146963

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-39.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-39.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146995

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0800MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-18.0800MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146943

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.08MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146979

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.7500MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-18.7500MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146942

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.75MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.9600MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-40.9600MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147024

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.9340MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-16.9340MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146927

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.934MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5535MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.5535MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147000

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.6100MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-40.6100MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146948

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.6667MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-16.6667MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146956

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.6667MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-44.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-44.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146936

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.3050MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.3050MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147002

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.6364MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-28.6364MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146961

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.9344MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-16.9344MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147004

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5454MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.5454MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146984

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.8000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-16.8000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147010

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-40.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146977

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-27.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-27.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147005

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.9231MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.9231MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146972

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-18.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146930

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-41.6000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-41.6000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147013

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0896MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-18.0896MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147021

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.0896MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-26.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-26.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146935

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.4320MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-18.4320MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146934

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.2240MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-28.2240MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 147020

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5455MHZ-4-K2Z-T3

ABM10W-24.5455MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 146955

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABMM2-16.000MHZ-E2-T

ABMM2-16.000MHZ-E2-T

ნაწილი საფონდო: 143602

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი