კრისტალები

ABM11W-24.5727MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-24.5727MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152130

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-42.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-42.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-21.9487MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-21.9487MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152059

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 21.9487MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-33.8688MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152071

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.3200MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-30.3200MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152137

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.6100MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-40.6100MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152143

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.6600MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-22.6600MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152110

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.66MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-26.0410MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152061

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.6364MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-28.6364MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152149

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-41.6000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-41.6000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152109

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152076

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-33.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152101

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.9344MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.9344MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152112

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.7360MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-20.7360MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.736MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152074

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152069

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-27.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146902

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-36.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152138

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-30.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146853

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-32.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146843

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-40.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146892

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0896MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-18.0896MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152146

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.0896MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-23.5120MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-23.5120MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152117

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 23.512MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-27.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-27.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152141

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-23.5120MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-23.5120MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152131

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 23.512MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.9600MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-40.9600MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152109

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-24.9231MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152094

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-22.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152055

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.8000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.8000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152090

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-25.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-25.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152068

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-25.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146886

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-20.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152054

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.1184MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-22.1184MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152067

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-38.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152132

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-20.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146898

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-18.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152118

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი