კრისტალები

ABM10W-38.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-38.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168342

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-27.1200MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168435

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8G-14.7456MHZ-B4Y-T3

ABM8G-14.7456MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168403

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-12.288MHZ-B4Y-T3

ABM8G-12.288MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.288MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-27.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168376

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8G-24.000MHZ-B4Y-T3

ABM8G-24.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABS10-32.768KHZ-9-T

ABS10-32.768KHZ-9-T

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM10W-32.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-32.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABLS-30.000MHZ-K4F-T

ABLS-30.000MHZ-K4F-T

ნაწილი საფონდო: 168342

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABLS-32.000MHZ-K4F-T

ABLS-32.000MHZ-K4F-T

ნაწილი საფონდო: 168358

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABLS-36.000MHZ-K4F-T

ABLS-36.000MHZ-K4F-T

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABLS-33.000MHZ-K4F-T

ABLS-33.000MHZ-K4F-T

ნაწილი საფონდო: 168422

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-32.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 151729

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-33.8688MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157142

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-29.4912MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-29.4912MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-21.9487MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-21.9487MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157115

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 21.9487MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-25.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 151718

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.9600MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-40.9600MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157113

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.7200MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-30.7200MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157084

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-49.1520MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157109

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-35.4160MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157130

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-38.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157096

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-36.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157098

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157080

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0896MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-18.0896MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157121

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.0896MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-26.0410MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157121

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.3840MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-16.3840MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157108

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-33.8680MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157091

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-40.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157088

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-42.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-42.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157141

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-33.3300MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157172

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.4000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-30.4000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157118

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-29.4912MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157131

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-37.0500MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157093

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-48.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 151744

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.6100MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-40.6100MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157150

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი