კრისტალები

ABM11W-38.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-38.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157157

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157172

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157145

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-37.4000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157120

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0800MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-18.0800MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157140

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.08MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-30.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157170

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.4000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-30.4000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157152

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-41.6000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-41.6000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-18.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-32.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-32.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157144

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-41.6000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-41.6000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157143

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-38.4000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.3220MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-28.3220MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157160

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.7500MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-18.7500MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157078

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.75MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.9344MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-16.9344MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157113

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-44.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-44.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157123

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.4000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-38.4000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157091

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-27.1200MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 151729

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-28.6364MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157172

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-22.5792MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-22.5792MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157079

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.5792MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-38.8800MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157087

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.7200MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-30.7200MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157106

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-33.8680MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157149

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.9231MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-24.9231MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157095

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-36.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157143

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 157085

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-16.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157076

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-35.4160MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157078

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.7200MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-30.7200MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157090

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.9600MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-40.9600MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157158

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157087

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.7360MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-20.7360MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157105

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.736MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-20.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157102

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-B2U-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 157152

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.6100MHZ-4-J2Z-T3

ABM10W-40.6100MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 157161

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი