კრისტალები

ABM11W-23.5120MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-23.5120MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162516

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 23.512MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-20.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162456

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-41.6000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-41.6000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162480

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-29.4912MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162439

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.3200MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-30.3200MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162495

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5454MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.5454MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162513

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-26.0410MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162517

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162474

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-38.4000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162526

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-27.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162450

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.5760MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162456

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-22.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162493

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-50.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-50.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 156902

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.6600MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-22.6600MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162503

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.66MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.5727MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162442

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3333MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-33.3333MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162479

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-48.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-48.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 162525

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-37.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162501

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-27.1200MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162484

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.5792MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-22.5792MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162509

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.5792MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.1184MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-22.1184MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162523

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.7200MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-30.7200MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162443

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.4000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-30.4000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162467

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-21.9487MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-21.9487MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162535

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 21.9487MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-28.6364MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162504

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-20.4800MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162533

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.3050MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.3050MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162458

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-50.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162525

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-33.8688MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162524

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-45.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-45.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 162524

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 45MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-25.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162473

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-37.4000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162479

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-40.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162472

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-35.4160MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162439

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.5455MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162537

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-48.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162535

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი