კრისტალები

ABM11W-31.2500MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162481

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-33.3330MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-42.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-42.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162469

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-28.3220MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162485

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162466

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-32.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162517

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-44.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162493

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-33.3300MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162489

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-38.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162508

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-45.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-45.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162447

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 45MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-33.8680MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162481

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.5535MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162509

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162516

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.9600MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-40.9600MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162450

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-49.1520MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162462

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-24.9231MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162444

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-37.0500MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162456

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.6100MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-40.6100MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162499

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-36.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-36.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162523

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 36MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-49.1520MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-49.1520MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 162488

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-38.8800MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162506

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.7360MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-20.7360MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162482

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.736MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-4-D2X-T3

ABM11W-33.0000MHZ-4-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 162476

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABMM-6.000MHZ-B2-T

ABMM-6.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 187840

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABMM-14.7456MHZ-B2-T

ABMM-14.7456MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 177535

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABMM-16.000MHZ-B2-T

ABMM-16.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 177595

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM81-48.000MHZ-B4Y-T3

ABM81-48.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 157827

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 Ohms,

სასურველი
ABM3B-30.000MHZ-B2-T

ABM3B-30.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 128521

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-12.000MHZ-18-D4W-T3

ABM8G-12.000MHZ-18-D4W-T3

ნაწილი საფონდო: 196

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±25ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM8G-24.000MHZ-4Y-T

ABM8G-24.000MHZ-4Y-T

ნაწილი საფონდო: 8670

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8G-14.31818MHZ-D2Y-T

ABM8G-14.31818MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 4352

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABLS-27.000MHZ-K4F-T

ABLS-27.000MHZ-K4F-T

ნაწილი საფონდო: 180878

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABLS-24.000MHZ-K4F-T

ABLS-24.000MHZ-K4F-T

ნაწილი საფონდო: 180887

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM8G-27.120MHZ-10-D1-T

ABM8G-27.120MHZ-10-D1-T

ნაწილი საფონდო: 9991

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8G-24.500MHZ-18-D4Y-T

ABM8G-24.500MHZ-18-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 13277

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABLS-14.31818MHZ-K4T

ABLS-14.31818MHZ-K4T

ნაწილი საფონდო: 180824

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი