კრისტალები

ABLS-12.1496MHZ-10-D4Y-T

ABLS-12.1496MHZ-10-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 187841

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.1496MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABMM-7.3728MHZ-B2-T

ABMM-7.3728MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 187783

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 7.3728MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABLS-10.7477MHZ-10-D4Y-T

ABLS-10.7477MHZ-10-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 187842

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 10.7477MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-18.432MHZ-4-T

ABM8-18.432MHZ-4-T

ნაწილი საფონდო: 9952

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±50ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-22.5792MHZ-D2Y-T

ABM8-22.5792MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 8656

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.5792MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-14.31818MHZ-B2-T

ABM8-14.31818MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 187856

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.31818MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM8-25.000MHZ-D2Y-T

ABM8-25.000MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 187820

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABLS-12.11876MHZ-10-D4Y-T

ABLS-12.11876MHZ-10-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 187777

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.11876MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-16.000MHZ-10-D7G-T

ABM8-16.000MHZ-10-D7G-T

ნაწილი საფონდო: 126

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±15ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-19.200MHZ-D4-T

ABM8-19.200MHZ-D4-T

ნაწილი საფონდო: 4312

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-18.432MHZ-B2-T

ABM8-18.432MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 187786

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-22.579MHZ-B2-T

ABM8-22.579MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 78368

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.579MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABLS-13.5178MHZ-10-D4Y-T

ABLS-13.5178MHZ-10-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 187812

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.5178MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-16.000MHZ-D2-T

ABM8-16.000MHZ-D2-T

ნაწილი საფონდო: 24355

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-25.000MHZ-D2X-T

ABM8-25.000MHZ-D2X-T

ნაწილი საფონდო: 169

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABLS-13.48352MHZ-10-D4Y-T

ABLS-13.48352MHZ-10-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 187800

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.48352MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-22.1184MHZ-B2-T

ABM8-22.1184MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 187818

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-16.000MHZ-B2-T

ABM8-16.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 187858

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM8-40.000MHZ-10-B1X-T

ABM8-40.000MHZ-10-B1X-T

ნაწილი საფონდო: 8611

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 Ohms,

სასურველი
ABM8-24.000MHZ-B1G-T

ABM8-24.000MHZ-B1G-T

ნაწილი საფონდო: 149

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±15ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-20.000MHZ-18-D2Y-T

ABM8-20.000MHZ-18-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 109

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABLS-12.98883MHZ-10-D4Y-T

ABLS-12.98883MHZ-10-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 187791

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 12.98883MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8-24.000MHZ-R60-D2Y-T

ABM8-24.000MHZ-R60-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 132

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM3-18.432MHZ-D2Y-T

ABM3-18.432MHZ-D2Y-T

ნაწილი საფონდო: 194462

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-33.3330MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168356

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-24.5760MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-37.4000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168397

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.9600MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-40.9600MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-48.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168415

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8G-26.000MHZ-B4Y-T3

ABM8G-26.000MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168381

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.7200MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-30.7200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174382

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-35.4160MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168362

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-40.0000MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168358

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-40.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168419

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი