კრისტალები

ABM11W-19.2800MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-37.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-37.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-26.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168360

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.6100MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-40.6100MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174404

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168384

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-26.0410MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168402

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-28.2240MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0132MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-16.0132MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168421

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-33.8680MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-37.4000MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168421

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-24.0000MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3333MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-33.3333MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168391

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-38.8800MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-35.4160MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168423

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-24.5455MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168410

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-19.2000MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168401

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-29.4912MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168369

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-40.0000MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-33.3330MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168376

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-30.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168351

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-25.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168411

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-28.2240MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168375

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-33.8680MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168380

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-37.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168408

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-35.4160MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168399

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0132MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-16.0132MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168363

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168353

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-33.0000MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-40.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168342

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168374

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-41.6000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-41.6000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174432

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-16.0132MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-16.0132MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 200 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-48.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168378

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-35.4160MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168349

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-37.4000MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი