კრისტალები

ABM11W-24.5454MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-24.5454MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168394

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.4400MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-19.4400MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168434

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-38.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168420

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-27.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168409

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-29.4912MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-29.4912MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174368

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168435

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-44.0000MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168408

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-24.5535MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168359

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5454MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-24.5454MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168412

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0800MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-18.0800MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174381

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.08MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-7-B2U-T3

ABM11W-24.9231MHZ-7-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168419

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-26.0410MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168437

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-48.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168413

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0896MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-18.0896MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174433

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.0896MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168365

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-35.4160MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168366

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-44.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168403

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-24.5760MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168430

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168394

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168434

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-20.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168393

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-24.5535MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-38.8800MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168430

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-7-J2Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-7-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3333MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-33.3333MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-31.2500MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168379

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168415

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-37.0500MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168362

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-38.8800MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168433

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-8-B2U-T3

ABM11W-33.0000MHZ-8-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-7-J1Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-7-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168360

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-33.8680MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168375

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-7-D2X-T3

ABM11W-37.4000MHZ-7-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168355

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-7-B1U-T3

ABM11W-24.5535MHZ-7-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168359

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი