კრისტალები

ABM11W-28.3220MHZ-6-K1Z-T3

ABM11W-28.3220MHZ-6-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-26.0000MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-31.2500MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168406

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-6-K2Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-6-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168344

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-50.0000MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168357

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-7-K1Z-T3

ABM11W-44.0000MHZ-7-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168407

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-37.4000MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168435

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-6-J1Z-T3

ABM11W-31.2500MHZ-6-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168400

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-6-D1X-T3

ABM11W-32.0000MHZ-6-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168422

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-31.2500MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168410

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-7-K2Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168368

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-30.0000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168346

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-35.4160MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168364

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2800MHZ-8-K1Z-T3

ABM11W-19.2800MHZ-8-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.28MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-24.5455MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168410

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-6-J2Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-6-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168339

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-24.0000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168431

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-8-J2Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-8-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-18.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174372

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-49.1520MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168414

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-6-B2U-T3

ABM11W-33.0000MHZ-6-B2U-T3

ნაწილი საფონდო: 168425

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-7-K2Z-T3

ABM11W-24.5455MHZ-7-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168361

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-8-K2Z-T3

ABM11W-35.4160MHZ-8-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168392

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-8-B1U-T3

ABM11W-33.3300MHZ-8-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168377

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-8-J1Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-8-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 168388

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-25.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168431

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-19.0625MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-19.0625MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174430

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.0625MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-30.0000MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168400

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-8-D2X-T3

ABM11W-28.3220MHZ-8-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168413

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-19.9680MHZ-4-D1X-T3

ABM10W-19.9680MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 174402

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.968MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM8G-24.576MHZ-B4Y-T3

ABM8G-24.576MHZ-B4Y-T3

ნაწილი საფონდო: 168425

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8688MHZ-6-B1U-T3

ABM11W-33.8688MHZ-6-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 168412

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.8688MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-7-D1X-T3

ABM11W-37.4000MHZ-7-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168387

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 7pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-19.2000MHZ-8-D1X-T3

ABM11W-19.2000MHZ-8-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 168405

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-6-D2X-T3

ABM11W-31.2500MHZ-6-D2X-T3

ნაწილი საფონდო: 168386

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი