კრისტალები

ABM11W-20.7360MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-20.7360MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.736MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-24.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146876

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-44.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-44.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152133

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-32.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-32.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.4320MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-18.4320MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152091

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-19.9680MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-19.9680MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.968MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.6667MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.6667MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152147

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.6667MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-33.3300MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-33.3300MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152054

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.9231MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.9231MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152140

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-35.4160MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-35.4160MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152098

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 35.416MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-30.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152070

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-37.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152146

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5727MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.5727MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152114

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-42.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-42.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152107

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-22.5792MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-22.5792MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152095

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.5792MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-22.1184MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-22.1184MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152128

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-33.3330MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-33.3330MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152104

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152146

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-45.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-45.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152085

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 45MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5454MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.5454MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152063

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.6100MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-40.6100MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152107

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-28.6364MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152111

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.3050MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.3050MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152116

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-44.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152085

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-50.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146850

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.9600MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-40.9600MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152074

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-33.3330MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146846

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.8800MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-38.8800MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152138

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-28.3220MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152144

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.0132MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.0132MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152122

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.0132MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-26.0410MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-26.0410MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152119

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-27.1200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146846

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-33.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-33.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152063

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-48.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146861

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5455MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.5455MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152133

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-26.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-26.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152141

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი