კრისტალები

ABM3C-24.576MHZ-D4Y-T

ABM3C-24.576MHZ-D4Y-T

ნაწილი საფონდო: 162826

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.3676MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.3676MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152141

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.3676MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-40.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-29.4912MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152115

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.8680MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-33.8680MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152079

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.868MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-38.4000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146891

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146862

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-39.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-39.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152088

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-22.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-22.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152052

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-21.9487MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-21.9487MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152122

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 21.9487MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-38.8800MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152072

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5760MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-24.5760MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152079

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.7200MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-30.7200MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152150

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-24.5760MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 146856

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-41.6000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-41.6000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152135

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-27.1200MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-27.1200MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152077

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0500MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-37.0500MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152149

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37.05MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-29.4912MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-29.4912MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152098

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0800MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-18.0800MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152073

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.08MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.7500MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-18.7500MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.75MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.4000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-38.4000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152128

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3333MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-33.3333MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152140

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.3333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.2240MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-28.2240MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152077

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.9340MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.9340MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152145

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.934MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-24.5455MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152090

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-31.2500MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-31.2500MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152140

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.5792MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-22.5792MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152079

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.5792MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-49.1520MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-49.1520MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152052

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-37.0000MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-37.0000MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152099

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.7200MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-30.7200MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152071

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-24.5535MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152088

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-20.4800MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-20.4800MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152076

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.3840MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-16.3840MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152134

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.384MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-4-D1X-T3

ABM11W-33.3300MHZ-4-D1X-T3

ნაწილი საფონდო: 152125

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM10W-22.6600MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-22.6600MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152081

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.66MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-30.0000MHZ-4-J1Z-T3

ABM10W-30.0000MHZ-4-J1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 152070

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი