კრისტალები

ABM11W-49.1520MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-49.1520MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138391

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 49.152MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.3200MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-30.3200MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138432

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.4800MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-20.4800MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138420

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-22.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138379

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-20.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138459

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5454MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.5454MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138390

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5454MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-48.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-48.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138429

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138470

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138417

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.9600MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-40.9600MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138438

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5760MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.5760MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138447

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.1184MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-22.1184MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138441

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-50.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-50.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138463

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 50MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-44.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-44.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138397

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-42.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-42.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138435

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.9231MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.9231MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138471

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.7200MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-30.7200MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138455

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.6100MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-40.6100MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138404

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-21.9487MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-21.9487MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138395

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 21.9487MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-41.6000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-41.6000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138451

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.3050MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.3050MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138453

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138376

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138447

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-33.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138390

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-30.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138458

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM12-115-26.000MHZ-T3

ABM12-115-26.000MHZ-T3

ნაწილი საფონდო: 147287

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-27.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 151682

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-B1U-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-B1U-T3

ნაწილი საფონდო: 151659

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABS07-LR-32.768KHZ-6-T

ABS07-LR-32.768KHZ-6-T

ნაწილი საფონდო: 152665

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 6pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 kOhms,

სასურველი
ABMM-24.000MHZ-B2-T

ABMM-24.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 152576

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM-24.576MHZ-B2-T

ABMM-24.576MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 152612

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM-19.6608MHZ-B2-T

ABMM-19.6608MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 152634

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 19.6608MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABMM-16.9344MHZ-B2-T

ABMM-16.9344MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 152611

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABMM-20.000MHZ-B2-T

ABMM-20.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 152629

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABMM-27.000MHZ-B2-T

ABMM-27.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 152603

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
AB308-6.000MHZ

AB308-6.000MHZ

ნაწილი საფონდო: 143639

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი