კრისტალები

AB-6.000MHZ-B2

AB-6.000MHZ-B2

ნაწილი საფონდო: 138260

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 40 Ohms,

სასურველი
ABM8G-33.000MHZ-B4Y-T

ABM8G-33.000MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 147992

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-14.7456MHZ-B4Y-T

ABM8G-14.7456MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 147959

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 14.7456MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-30.000MHZ-B4Y-T

ABM8G-30.000MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 147983

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-40.000MHZ-B4Y-T

ABM8G-40.000MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 148013

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM8G-22.1184MHZ-B4Y-T

ABM8G-22.1184MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 147989

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.1184MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM8G-13.560MHZ-B4Y-T

ABM8G-13.560MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 148015

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.56MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM8G-13.000MHZ-B4Y-T

ABM8G-13.000MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 147945

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM7-13.52127MHZ-10-R50-D4Q-T

ABM7-13.52127MHZ-10-R50-D4Q-T

ნაწილი საფონდო: 132036

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.52127MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABS07-32.768KHZ-4-T

ABS07-32.768KHZ-4-T

ნაწილი საფონდო: 132937

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABS07-32.768KHZ-9-1-T

ABS07-32.768KHZ-9-1-T

ნაწილი საფონდო: 132976

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 9pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABMM-16.000MHZ-12-R100-N2-X-T

ABMM-16.000MHZ-12-R100-N2-X-T

ნაწილი საფონდო: 133023

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 12pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138395

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5727MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.5727MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138456

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-45.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-45.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138426

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 45MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-23.5120MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-23.5120MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138452

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 23.512MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138378

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5455MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.5455MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138403

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138446

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-38.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138473

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.4000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-30.4000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138414

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-33.3330MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138454

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-40.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138393

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-20.7360MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-20.7360MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138374

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 20.736MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138416

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138457

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-26.0410MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138396

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-28.3220MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138412

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-29.4912MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138407

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-27.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138409

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138470

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-24.5535MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-24.5535MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138400

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.6600MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-22.6600MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138412

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.66MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138445

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138440

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-22.5792MHZ-4-J2Z-T3

ABM11W-22.5792MHZ-4-J2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 138464

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 22.5792MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 120 Ohms,

სასურველი