კრისტალები

AB308-8.000MHZ

AB308-8.000MHZ

ნაწილი საფონდო: 143656

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
AB308-16.000MHZ

AB308-16.000MHZ

ნაწილი საფონდო: 143618

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
AB308-4.000MHZ

AB308-4.000MHZ

ნაწილი საფონდო: 143647

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 16pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 150 Ohms,

სასურველი
ABS07W-32.768KHZ-K-2-T

ABS07W-32.768KHZ-K-2-T

ნაწილი საფონდო: 135784

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 3pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABMM2-10.000MHZ-D1-T

ABMM2-10.000MHZ-D1-T

ნაწილი საფონდო: 143626

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±20ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 50 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-40.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 137689

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-25.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-25.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142585

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABS07W-32.768KHZ-J-1-T

ABS07W-32.768KHZ-J-1-T

ნაწილი საფონდო: 137660

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 3pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 kOhms,

სასურველი
ABM10W-44.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-44.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142580

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 44MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.4000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-38.4000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142566

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.9600MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-40.9600MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142582

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.3220MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-28.3220MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142561

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0800MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-18.0800MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 137671

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.08MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-26.0410MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-26.0410MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142525

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-27.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-27.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 137640

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5535MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.5535MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142571

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5535MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.9231MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.9231MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142585

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.9231MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-26.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-26.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142583

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0896MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-18.0896MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142619

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.0896MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142563

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-38.8800MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-38.8800MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142590

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-18.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142580

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.4320MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-18.4320MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142620

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-18.7500MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-18.7500MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142617

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 18.75MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.6667MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-16.6667MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142576

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.6667MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-29.4912MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-29.4912MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142589

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5760MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.5760MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142524

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.576MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5727MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.5727MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142539

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5727MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.5455MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.5455MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142593

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.5455MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-24.3050MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-24.3050MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142617

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24.305MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-40.6100MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-40.6100MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142610

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.8000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-16.8000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142524

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-39.0000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-39.0000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142580

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM10W-28.2240MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-28.2240MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142591

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-16.9344MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-16.9344MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142608

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.9344MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM10W-41.6000MHZ-4-K1Z-T3

ABM10W-41.6000MHZ-4-K1Z-T3

ნაწილი საფონდო: 142553

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი