კრისტალები

ABM3B-13.0625MHZ-10-D4-T

ABM3B-13.0625MHZ-10-D4-T

ნაწილი საფონდო: 128558

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 13.0625MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABM3-29.4912MHZ-B4Y-T

ABM3-29.4912MHZ-B4Y-T

ნაწილი საფონდო: 128539

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±30ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 30 Ohms,

სასურველი
ABM3-48.000MHZ-B2-T

ABM3-48.000MHZ-B2-T

ნაწილი საფონდო: 128536

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 48MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 25 Ohms,

სასურველი
ABM8-16.800MHZ-10-1-U-T

ABM8-16.800MHZ-10-1-U-T

ნაწილი საფონდო: 128494

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 16.8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±10ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 10pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 Ohms,

სასურველი
ABS07W-32.768KHZ-J-2-T

ABS07W-32.768KHZ-J-2-T

ნაწილი საფონდო: 141520

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 3pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 kOhms,

სასურველი
ABS07W-32.768KHZ-K-1-T

ABS07W-32.768KHZ-K-1-T

ნაწილი საფონდო: 128845

ტიპი: kHz Crystal (Tuning Fork), სიხშირე: 32.768kHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 3pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 70 kOhms,

სასურველი
ABM8-24.000MHZ-R60-D-1-W-T3

ABM8-24.000MHZ-R60-D-1-W-T3

ნაწილი საფონდო: 129537

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±25ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-29.4912MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-29.4912MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134532

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 29.4912MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-42.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-42.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134531

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-39.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-39.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134534

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 39MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.8800MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-38.8800MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134505

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.88MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.1200MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-27.1200MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134525

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-26.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134536

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-26.0410MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-26.0410MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134485

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 26.041MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.7200MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-30.7200MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134532

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.72MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.6364MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-28.6364MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134464

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.6364MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-30.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134497

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.4000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-38.4000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134471

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-31.2500MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-31.2500MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134553

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 31.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-40.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134523

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.6100MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-40.6100MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134504

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.61MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-32.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-32.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134513

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-25.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-25.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134493

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.4000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-30.4000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134480

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-30.3200MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-30.3200MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134552

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 30.32MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.2240MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-28.2240MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134511

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.224MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-41.6000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-41.6000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134535

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 41.6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3330MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-33.3330MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134530

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.333MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-27.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-27.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134481

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-40.9600MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-40.9600MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134532

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 40.96MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM11W-28.3220MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-28.3220MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134543

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 28.322MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 100 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-33.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134521

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-33.3300MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-33.3300MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134470

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 33.33MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
ABM11W-38.0000MHZ-4-K2Z-T3

ABM11W-38.0000MHZ-4-K2Z-T3

ნაწილი საფონდო: 134478

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 38MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±50ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 4pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 60 Ohms,

სასურველი
ABM12-118-27.120MHZ-T3

ABM12-118-27.120MHZ-T3

ნაწილი საფონდო: 147315

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 27.12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±30ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±10ppm, დატვირთვის მოცულობა: 8pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 80 Ohms,

სასურველი
AB-8.000MHZ-N2

AB-8.000MHZ-N2

ნაწილი საფონდო: 4383

ტიპი: MHz Crystal, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±100ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±20ppm, დატვირთვის მოცულობა: 18pF, ESR (ეკვივალენტური სერიის წინააღმდეგობა): 35 Ohms,

სასურველი