ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 580mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 0.82mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
