ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.35A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ინდუქცია: 200nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.8A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 630mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 9.1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
