ფიქსირებული ინდუქტორები

ELL-5PS1R5N

ELL-5PS1R5N

ნაწილი საფონდო: 5427

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.4A,

სასურველი
ELJ-SA150KF

ELJ-SA150KF

ნაწილი საფონდო: 9498

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,

სასურველი
ELJ-FB120JF

ELJ-FB120JF

ნაწილი საფონდო: 178645

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 225mA,

სასურველი
ELL-5PS4R7N

ELL-5PS4R7N

ნაწილი საფონდო: 5445

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
ELJ-PF2N7DFB

ELJ-PF2N7DFB

ნაწილი საფონდო: 5280

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A,

სასურველი
ELJ-SC820KF

ELJ-SC820KF

ნაწილი საფონდო: 4989

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 14mA,

სასურველი
ELC-6GN1R5N

ELC-6GN1R5N

ნაწილი საფონდო: 9602

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,

სასურველი
ELL-5PS470M

ELL-5PS470M

ნაწილი საფონდო: 5352

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
ELJ-NCR22JF

ELJ-NCR22JF

ნაწილი საფონდო: 4925

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA,

სასურველი
ELJ-QE39NJFA

ELJ-QE39NJFA

ნაწილი საფონდო: 5028

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
ELC-6GN100M

ELC-6GN100M

ნაწილი საფონდო: 5364

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
ELJ-NAR39KF

ELJ-NAR39KF

ნაწილი საფონდო: 177849

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
ELL-VEG330M

ELL-VEG330M

ნაწილი საფონდო: 5369

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA, მიმდინარე - სატურაცია: 260mA,

სასურველი
ELL-VEG470M

ELL-VEG470M

ნაწილი საფონდო: 5354

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 220mA,

სასურველი
ELC-6GN220M

ELC-6GN220M

ნაწილი საფონდო: 9626

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
ELJ-FAR22KF2

ELJ-FAR22KF2

ნაწილი საფონდო: 5053

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,

სასურველი
ELJ-LA680KF

ELJ-LA680KF

ნაწილი საფონდო: 5059

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 145mA, მიმდინარე - სატურაცია: 260mA,

სასურველი
ELJ-FA1R5KF

ELJ-FA1R5KF

ნაწილი საფონდო: 120024

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,

სასურველი
ELL-5PS1R2N

ELL-5PS1R2N

ნაწილი საფონდო: 5472

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
ELJ-DA820JF

ELJ-DA820JF

ნაწილი საფონდო: 5350

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
ELC-6GN2R2N

ELC-6GN2R2N

ნაწილი საფონდო: 5437

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,

სასურველი
ELL-6GM120M

ELL-6GM120M

ნაწილი საფონდო: 5430

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA,

სასურველი
ELL-6GM270M

ELL-6GM270M

ნაწილი საფონდო: 5376

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
ELJ-PE22NKFA

ELJ-PE22NKFA

ნაწილი საფონდო: 9560

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
ELL-6GM560M

ELL-6GM560M

ნაწილი საფონდო: 5400

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
ELJ-NCR39JF

ELJ-NCR39JF

ნაწილი საფონდო: 4979

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
ELJ-NCR56JF

ELJ-NCR56JF

ნაწილი საფონდო: 5039

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
ELJ-RF15NGFB

ELJ-RF15NGFB

ნაწილი საფონდო: 178830

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 240mA,

სასურველი
ELJ-FC5R6JF

ELJ-FC5R6JF

ნაწილი საფონდო: 5097

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,

სასურველი
ELJ-FCR39KF

ELJ-FCR39KF

ნაწილი საფონდო: 4905

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,

სასურველი
ELJ-PE3N3KF

ELJ-PE3N3KF

ნაწილი საფონდო: 5219

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,

სასურველი
ELJ-QE5N6ZFA

ELJ-QE5N6ZFA

ნაწილი საფონდო: 5109

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
ELJ-FA820KF

ELJ-FA820KF

ნაწილი საფონდო: 9568

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,

სასურველი
ELL-5PS100M

ELL-5PS100M

ნაწილი საფონდო: 5389

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
ELL-5PS560M

ELL-5PS560M

ნაწილი საფონდო: 5414

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 430mA,

სასურველი
ELL-5PS680M

ELL-5PS680M

ნაწილი საფონდო: 5380

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 380mA,

სასურველი