ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 275mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.55A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.15A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 85mA,
მასალა - ძირითადი: Metal Composite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 225mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 155mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 390mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 310mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 740mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 880mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 7.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,
