ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.4A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 180nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 120mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
