ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 970mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 210mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.5nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 105mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 60mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 160mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 55mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 115mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 420mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 165mA,
