ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.8A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 320mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 410mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 360mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.4A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 33nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.4µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.05A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.1A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
