ტრანზისტორები - JFET

BF246B_J35Z

ნაწილი საფონდო: 3444

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 60mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 10nA,

BSR58LT1G

ნაწილი საფონდო: 3366

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 1µA,

BFR31LT1G

ნაწილი საფონდო: 3431

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31LT1

ნაწილი საფონდო: 3382

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 0.5nA,

BFR30LT1

ნაწილი საფონდო: 3407

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BFR30LT1G

ნაწილი საფონდო: 3448

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 0.5nA,

BF247A

ნაწილი საფონდო: 224

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 100nA,

BF246A

ნაწილი საფონდო: 3378

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 100nA,

BSR56

ნაწილი საფონდო: 141206

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 0.5nA,

BSR58

ნაწილი საფონდო: 100259

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 0.5nA,

J110

ნაწილი საფონდო: 3443

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF256-3-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3442

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

J176

ნაწილი საფონდო: 3350

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

P1086

ნაწილი საფონდო: 3437

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 1µA,

TIS75_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3417

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 4nA,

MMBF4393LT1G

ნაწილი საფონდო: 192269

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

PN4092_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3371

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

J112RL1

ნაწილი საფონდო: 3450

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

J174_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3371

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10nA,

MMBF5462

ნაწილი საფონდო: 130781

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.8V @ 1µA,

PN4391_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3487

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

EC3A04B-3-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3434

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 10mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 180mV @ 1µA,

PF5102

ნაწილი საფონდო: 128618

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 700mV @ 1nA,

SMMBFJ175LT1G

ნაწილი საფონდო: 109822

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

TIS75_J35Z

ნაწილი საფონდო: 3466

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 4nA,

PN4392_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3431

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

TF202THC-L5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3450

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

J106

ნაწილი საფონდო: 85192

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1µA,

TF202THC-3-TL-HX

ნაწილი საფონდო: 3407

J111RLRAG

ნაწილი საფონდო: 3387

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

PF5103

ნაწილი საფონდო: 3363

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.2V @ 1nA,

MCH3914-8-TL-H

ნაწილი საფონდო: 186655

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 10µA,

MMBFU310LT1

ნაწილი საფონდო: 3484

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 1nA,

MMBFJ177

ნაწილი საფონდო: 174507

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF5460

ნაწილი საფონდო: 135969

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 750mV @ 1µA,

TIS75

ნაწილი საფონდო: 3355

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 4nA,