Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - JFET

J176-D74Z
ON Semiconductor

J176-D74Z

ნაწილი საფონდო: 13203

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

სასურველი
J176_D27Z
ON Semiconductor

J176_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3352

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

სასურველი
TF256TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-4-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3468

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

სასურველი
J111RL1G
ON Semiconductor

J111RL1G

ნაწილი საფონდო: 3416

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

სასურველი
P1087_J18Z
ON Semiconductor

P1087_J18Z

ნაწილი საფონდო: 3448

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1µA,

სასურველი
FJN598JATA
ON Semiconductor

FJN598JATA

ნაწილი საფონდო: 3490

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
J202
ON Semiconductor

J202

ნაწილი საფონდო: 3418

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

სასურველი
J201_D74Z
ON Semiconductor

J201_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3407

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

სასურველი
MMBFJ175LT1G
ON Semiconductor

MMBFJ175LT1G

ნაწილი საფონდო: 135212

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
MMBFJ175LT1
ON Semiconductor

MMBFJ175LT1

ნაწილი საფონდო: 3381

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
MMBF4117
ON Semiconductor

MMBF4117

ნაწილი საფონდო: 122052

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1nA,

სასურველი
SMMBF4391LT1G
ON Semiconductor

SMMBF4391LT1G

ნაწილი საფონდო: 3375

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 10nA,

სასურველი
TF252TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3414

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

სასურველი
MMBF5484LT1
ON Semiconductor

MMBF5484LT1

ნაწილი საფონდო: 3379

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

სასურველი
FJZ594JCTF
ON Semiconductor

FJZ594JCTF

ნაწილი საფონდო: 3391

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
PN4303_D26Z
ON Semiconductor

PN4303_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3418

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 1nA,

სასურველი
MMBFJ270
ON Semiconductor

MMBFJ270

ნაწილი საფონდო: 114705

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

სასურველი
KSK30RBU
ON Semiconductor

KSK30RBU

ნაწილი საფონდო: 3409

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

სასურველი
MMBF4091
ON Semiconductor

MMBF4091

ნაწილი საფონდო: 111162

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1nA,

სასურველი
MPF4392
ON Semiconductor

MPF4392

ნაწილი საფონდო: 3400

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

სასურველი
J113_D27Z
ON Semiconductor

J113_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3355

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

სასურველი
TF262TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3528

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

სასურველი
J202_D26Z
ON Semiconductor

J202_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3486

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

სასურველი
CPH3910-TL-E
ON Semiconductor

CPH3910-TL-E

ნაწილი საფონდო: 143306

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.8V @ 100µA,

სასურველი
FJX597JCTF
ON Semiconductor

FJX597JCTF

ნაწილი საფონდო: 3407

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
TIS74
ON Semiconductor

TIS74

ნაწილი საფონდო: 3394

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 4nA,

სასურველი
J111-D26Z
ON Semiconductor

J111-D26Z

ნაწილი საფონდო: 13212

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

სასურველი
J109_D75Z
ON Semiconductor

J109_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3377

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

სასურველი
P108718
ON Semiconductor

P108718

ნაწილი საფონდო: 3505

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1µA,

სასურველი
MMBFJ112
ON Semiconductor

MMBFJ112

ნაწილი საფონდო: 141208

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი
MCH5908H-TL-E
ON Semiconductor

MCH5908H-TL-E

ნაწილი საფონდო: 126236

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 16mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 100µA,

სასურველი
J174_D74Z
ON Semiconductor

J174_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3375

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10nA,

სასურველი
MMBFJ201_G
ON Semiconductor

MMBFJ201_G

ნაწილი საფონდო: 3473

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

სასურველი
J106_D26Z
ON Semiconductor

J106_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3415

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1µA,

სასურველი
MMBFJ108
ON Semiconductor

MMBFJ108

ნაწილი საფონდო: 124175

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
PN5434
ON Semiconductor

PN5434

ნაწილი საფონდო: 3380

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 3nA,

სასურველი