Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - JFET

MMBF4393LT3G
ON Semiconductor

MMBF4393LT3G

ნაწილი საფონდო: 107197

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

სასურველი
J108_D74Z
ON Semiconductor

J108_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3438

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
J105_D74Z
ON Semiconductor

J105_D74Z

ნაწილი საფონდო: 5423

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4.5V @ 1µA,

სასურველი
KSK596CBU
ON Semiconductor

KSK596CBU

ნაწილი საფონდო: 3378

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
PN4117_D26Z
ON Semiconductor

PN4117_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3452

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1nA,

სასურველი
MMBF5484LT1G
ON Semiconductor

MMBF5484LT1G

ნაწილი საფონდო: 3371

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

სასურველი
J110RLRAG
ON Semiconductor

J110RLRAG

ნაწილი საფონდო: 3370

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

სასურველი
J177
ON Semiconductor

J177

ნაწილი საფონდო: 3368

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

სასურველი
J110_D75Z
ON Semiconductor

J110_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3418

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

სასურველი
PN4302
ON Semiconductor

PN4302

ნაწილი საფონდო: 3352

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500µA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

სასურველი
J112
ON Semiconductor

J112

ნაწილი საფონდო: 143677

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი
J108_D27Z
ON Semiconductor

J108_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3357

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
PN4119
ON Semiconductor

PN4119

ნაწილი საფონდო: 3372

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

სასურველი
PN4091
ON Semiconductor

PN4091

ნაწილი საფონდო: 3358

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 1nA,

სასურველი
FJN598JBBU
ON Semiconductor

FJN598JBBU

ნაწილი საფონდო: 3487

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
TF262TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-4-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3436

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

სასურველი
PN4118
ON Semiconductor

PN4118

ნაწილი საფონდო: 3353

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1nA,

სასურველი
PN4117A_J61Z
ON Semiconductor

PN4117A_J61Z

ნაწილი საფონდო: 3442

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1nA,

სასურველი
MMBFJ177LT1
ON Semiconductor

MMBFJ177LT1

ნაწილი საფონდო: 3506

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

სასურველი
TF202THC-3-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-3-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3405

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

სასურველი
MMBFJ175
ON Semiconductor

MMBFJ175

ნაწილი საფონდო: 118669

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
MMBF4393
ON Semiconductor

MMBF4393

ნაწილი საფონდო: 133700

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

სასურველი
TF414T5G
ON Semiconductor

TF414T5G

ნაწილი საფონდო: 139739

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1µA,

სასურველი
PN4393_D26Z
ON Semiconductor

PN4393_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3434

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

სასურველი
MMBF5103
ON Semiconductor

MMBF5103

ნაწილი საფონდო: 120554

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.2V @ 1nA,

სასურველი
MMBFU310LT1G
ON Semiconductor

MMBFU310LT1G

ნაწილი საფონდო: 155085

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2.5V @ 1nA,

სასურველი
PN5432
ON Semiconductor

PN5432

ნაწილი საფონდო: 3377

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 3nA,

სასურველი
J175
ON Semiconductor

J175

ნაწილი საფონდო: 3377

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
MMBF4092
ON Semiconductor

MMBF4092

ნაწილი საფონდო: 199131

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

სასურველი
J105
ON Semiconductor

J105

ნაწილი საფონდო: 96371

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4.5V @ 1µA,

სასურველი
FJN598JCBU
ON Semiconductor

FJN598JCBU

ნაწილი საფონდო: 3390

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
J174_D27Z
ON Semiconductor

J174_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3440

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 5V @ 10nA,

სასურველი
EC3A03B-TL-H
ON Semiconductor

EC3A03B-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3447

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 20V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 1µA,

სასურველი
KSK596PCWD
ON Semiconductor

KSK596PCWD

ნაწილი საფონდო: 3392

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
MMBF5458
ON Semiconductor

MMBF5458

ნაწილი საფონდო: 132490

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

სასურველი
MMBF4119
ON Semiconductor

MMBF4119

ნაწილი საფონდო: 167525

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

სასურველი