Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - JFET

MMBF4393LT1
ON Semiconductor

MMBF4393LT1

ნაწილი საფონდო: 3356

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

სასურველი
NSVJ3557SA3T1G
ON Semiconductor

NSVJ3557SA3T1G

ნაწილი საფონდო: 121574

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 15V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 15V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 100µA,

სასურველი
TF256TH-5-TL-H
ON Semiconductor

TF256TH-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3408

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 240µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

სასურველი
J201
ON Semiconductor

J201

ნაწილი საფონდო: 3365

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

სასურველი
J271
ON Semiconductor

J271

ნაწილი საფონდო: 3411

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1.5V @ 1nA,

სასურველი
P1086_D74Z
ON Semiconductor

P1086_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3350

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 1µA,

სასურველი
PN5432_D27Z
ON Semiconductor

PN5432_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3415

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 3nA,

სასურველი
J175_D74Z
ON Semiconductor

J175_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3350

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი
J270
ON Semiconductor

J270

ნაწილი საფონდო: 3388

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

სასურველი
PN4117A_D26Z
ON Semiconductor

PN4117A_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3388

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1nA,

სასურველი
J111-D74Z
ON Semiconductor

J111-D74Z

ნაწილი საფონდო: 313

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

სასურველი
NSVJ2394SA3T1G
ON Semiconductor

NSVJ2394SA3T1G

ნაწილი საფონდო: 148349

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 15V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 15V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 32mA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 50mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 700mV @ 100µA,

სასურველი
MPF4392G
ON Semiconductor

MPF4392G

ნაწილი საფონდო: 3440

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

სასურველი
J112-D74Z
ON Semiconductor

J112-D74Z

ნაწილი საფონდო: 308

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი
MMBF4391
ON Semiconductor

MMBF4391

ნაწილი საფონდო: 133772

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

სასურველი
TF412ST5G
ON Semiconductor

TF412ST5G

ნაწილი საფონდო: 184962

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 10mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 180mV @ 1µA,

სასურველი
J202_D27Z
ON Semiconductor

J202_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3368

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

სასურველი
JFTJ105
ON Semiconductor

JFTJ105

ნაწილი საფონდო: 3431

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4.5V @ 1µA,

სასურველი
TF252TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF252TH-4-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3451

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

სასურველი
FJX597JBTF
ON Semiconductor

FJX597JBTF

ნაწილი საფონდო: 3389

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

სასურველი
J112RLRA
ON Semiconductor

J112RLRA

ნაწილი საფონდო: 3445

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი
J202_D74Z
ON Semiconductor

J202_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3477

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

სასურველი
TF252-4-TL-H
ON Semiconductor

TF252-4-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3458

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

სასურველი
MPF4393
ON Semiconductor

MPF4393

ნაწილი საფონდო: 3385

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

სასურველი
J111_D75Z
ON Semiconductor

J111_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3434

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

სასურველი
J112G
ON Semiconductor

J112G

ნაწილი საფონდო: 3431

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი
J201_D27Z
ON Semiconductor

J201_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3432

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

სასურველი
J110G
ON Semiconductor

J110G

ნაწილი საფონდო: 3521

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

სასურველი
MPF4393RLRPG
ON Semiconductor

MPF4393RLRPG

ნაწილი საფონდო: 3449

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

სასურველი
PN4391
ON Semiconductor

PN4391

ნაწილი საფონდო: 3393

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

სასურველი
P1086_D75Z
ON Semiconductor

P1086_D75Z

ნაწილი საფონდო: 3402

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 1µA,

სასურველი
J109
ON Semiconductor

J109

ნაწილი საფონდო: 155883

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

სასურველი
J110_D26Z
ON Semiconductor

J110_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3458

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 10nA,

სასურველი
J111_D27Z
ON Semiconductor

J111_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3418

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 1µA,

სასურველი
TF202THC-4-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-4-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3377

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 140µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 200mV @ 1µA,

სასურველი
SMMBF4393LT1G
ON Semiconductor

SMMBF4393LT1G

ნაწილი საფონდო: 107687

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

სასურველი