ტრანზისტორები - JFET

PN4093

ნაწილი საფონდო: 3348

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1nA,

TF252-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3447

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

MMBFJ176

ნაწილი საფონდო: 160984

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 10nA,

MMBFJ177_G

ნაწილი საფონდო: 3457

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

PN4092_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3460

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

MMBF4391LT1G

ნაწილი საფონდო: 178139

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 10nA,

PN4393_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3449

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

PN5434_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3400

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 3nA,

PN4392_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3373

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

J270_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3420

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

FJN598JABU

ნაწილი საფონდო: 3337

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

MMBF4118

ნაწილი საფონდო: 169657

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1nA,

MMBFJ113

ნაწილი საფონდო: 188616

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

J112_D11Z

ნაწილი საფონდო: 3414

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 1µA,

J113_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3396

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1µA,

TF410-TL-HX

ნაწილი საფონდო: 3480

J108

ნაწილი საფონდო: 3387

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 3V @ 10nA,

J109_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3351

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

TF208TH-5-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3437

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 100mV @ 1µA,

J109_D74Z

ნაწილი საფონდო: 3425

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 40mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

KSK30YBU

ნაწილი საფონდო: 3374

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

PN4092

ნაწილი საფონდო: 3390

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

PN5434_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3367

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 1V @ 3nA,

FJX597JHTF

ნაწილი საფონდო: 3471

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 20V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 600mV @ 1µA,

MMBFJ202

ნაწილი საფონდო: 121765

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 900µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

KSK30OBU

ნაწილი საფონდო: 3382

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 50V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 400mV @ 100nA,

TF410-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3454

FET ტიპი: N-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50µA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 1mA,

MMBF5459

ნაწილი საფონდო: 196282

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 25V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 10nA,

U1898_D27Z

ნაწილი საფონდო: 3382

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

MMBFJ201

ნაწილი საფონდო: 160229

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 300mV @ 10nA,

MMBFJ177LT1G

ნაწილი საფონდო: 116535

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 10nA,

MMBF4392

ნაწილი საფონდო: 111115

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 2V @ 1nA,

TIS75_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3440

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 800mV @ 4nA,

J270_D26Z

ნაწილი საფონდო: 3434

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 500mV @ 1nA,

TF408-3-TL-H

ნაწილი საფონდო: 3425

FET ტიპი: N-Channel, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს: 10mA, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 180mV @ 1µA,

MMBF5460LT1G

ნაწილი საფონდო: 3415

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 750mV @ 1µA,