ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS) | - |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
მიმდინარე გადინება (Id) - მაქს | 10mA |
ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id | 180mV @ 1µA |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 4pF @ 10V |
წინააღმდეგობა - RDS (ჩართული) | 200 Ohms |
სიმძლავრე - მაქს | 100mW |
ოპერაციული ტემპერატურა | 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 3-XFDFN |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 3-ECSP1006 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |