კერამიკული კონდენსატორები

GRM1557U1H161GZ01D

GRM1557U1H161GZ01D

ნაწილი საფონდო: 8068

ტევადობა: 160pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72H332K2K1C11B

RDER72H332K2K1C11B

ნაწილი საფონდო: 2666

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H131GZ01D

GRM1557U1H131GZ01D

ნაწილი საფონდო: 9427

ტევადობა: 130pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H3R3CZ01D

GRM1887U1H3R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4150

ტევადობა: 3.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H130GZ01D

GRM1557U1H130GZ01D

ნაწილი საფონდო: 4240

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A8R0DD01D

GRM2196S2A8R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 839

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72H333K3K1C11B

RDER72H333K3K1C11B

ნაწილი საფონდო: 21

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPER72A472K2P1A03B

RPER72A472K2P1A03B

ნაწილი საფონდო: 5083

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H181JA16D

GCM2165C1H181JA16D

ნაწილი საფონდო: 193736

ტევადობა: 180pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A7R9DD01D

GRM2196S2A7R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 9102

ტევადობა: 7.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H2R9CZ01D

GRM1887U1H2R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 4815

ტევადობა: 2.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H1R2CZ01D

GRM1557U1H1R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1066

ტევადობა: 1.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A5R8DD01D

GRM2196S2A5R8DD01D

ნაწილი საფონდო: 3705

ტევადობა: 5.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H3R7CD01D

GRM0335C1H3R7CD01D

ნაწილი საფონდო: 4824

ტევადობა: 3.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71H563KA93D

GRM188R71H563KA93D

ნაწილი საფონდო: 189964

ტევადობა: 0.056µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H510JD01D

GRM0335C1H510JD01D

ნაწილი საფონდო: 9821

ტევადობა: 51pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C2A131JA16D

GCM2165C2A131JA16D

ნაწილი საფონდო: 171905

ტევადობა: 130pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H100JDD5D

GRM1535C1H100JDD5D

ნაწილი საფონდო: 2105

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R9BD01D

GRM0335C1H4R9BD01D

ნაწილი საფონდო: 8559

ტევადობა: 4.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R3CDAEL

GRM0225C1E4R3CDAEL

ნაწილი საფონდო: 137252

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A5R0CD01D

GRM2196S2A5R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 5970

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBB33A222KN2A

DEBB33A222KN2A

ნაწილი საფონდო: 2960

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 1000V (1kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1555C1E6R7CZ01D

GRM1555C1E6R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 1561

ტევადობა: 6.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R2BD01D

GRM0335C1H4R2BD01D

ნაწილი საფონდო: 7238

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H2R8CZ01D

GRM1887U1H2R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6338

ტევადობა: 2.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBF33D103ZN3A

DEBF33D103ZN3A

ნაწილი საფონდო: 176906

ტევადობა: 10000pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: F, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1887U1H362JA01D

GRM1887U1H362JA01D

ნაწილი საფონდო: 101445

ტევადობა: 3600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H121JZ01D

GRM1557U1H121JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9243

ტევადობა: 120pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H620GZ01D

GRM1557U1H620GZ01D

ნაწილი საფონდო: 94

ტევადობა: 62pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R1DZ01D

GRM1555C1E6R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8371

ტევადობა: 6.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H300JZ01D

GRM1887U1H300JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4495

ტევადობა: 30pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R5BDAEL

GRM0225C1E4R5BDAEL

ნაწილი საფონდო: 132075

ტევადობა: 4.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A8R6DD01D

GRM2196S2A8R6DD01D

ნაწილი საფონდო: 4027

ტევადობა: 8.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBB33F222KN3A

DEBB33F222KN3A

ნაწილი საფონდო: 110334

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 3150V (3.15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1887U1H4R2CZ01D

GRM1887U1H4R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5087

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72D224K8K1C11B

RDER72D224K8K1C11B

ნაწილი საფონდო: 8791

ტევადობა: 0.22µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი