კერამიკული კონდენსატორები

GRM188R71H273KA61D

GRM188R71H273KA61D

ნაწილი საფონდო: 185268

ტევადობა: 0.027µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R0CZ01D

GRM1555C1E6R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7126

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R8CD01D

GRM0335C1H4R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 7767

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H430JZ01D

GRM1887U1H430JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1159

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPER72A331K2P1B03B

RPER72A331K2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 8292

ტევადობა: 330pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R0CZ01D

GRM1555C1E7R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8646

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R3CD01D

GRM0335C1H4R3CD01D

ნაწილი საფონდო: 1592

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H392JA01D

GRM1887U1H392JA01D

ნაწილი საფონდო: 3909

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E5R0CDAEL

GRM0225C1E5R0CDAEL

ნაწილი საფონდო: 126146

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E5R3WDAEL

GRM0225C1E5R3WDAEL

ნაწილი საფონდო: 163796

ტევადობა: 5.3pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A7R5DD01D

GRM2196S2A7R5DD01D

ნაწილი საფონდო: 4720

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E5R8DZ01D

GRM1555C1E5R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 9694

ტევადობა: 5.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H1R5CZ01D

GRM1557U1H1R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2593

ტევადობა: 1.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R61C104KE84E

GRM033R61C104KE84E

ნაწილი საფონდო: 4293

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1887U1H3R9CZ01D

GRM1887U1H3R9CZ01D

ნაწილი საფონდო: 3596

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72H153K2K1C11B

RDER72H153K2K1C11B

ნაწილი საფონდო: 1249

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H1R0CZ01D

GRM1557U1H1R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 3380

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R3CZ01D

GRM1555C1E7R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9039

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R1DZ01D

GRM1555C1E7R1DZ01D

ნაწილი საფონდო: 8827

ტევადობა: 7.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H470JDD5D

GRM1535C1H470JDD5D

ნაწილი საფონდო: 5428

ტევადობა: 47pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H392JA16D

GCM2165C1H392JA16D

ნაწილი საფონდო: 196597

ტევადობა: 3900pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H3R6CZ01D

GRM1887U1H3R6CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8158

ტევადობა: 3.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1ER10BA01J

GRM0335C1ER10BA01J

ნაწილი საფონდო: 954

ტევადობა: 0.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R7BDAEL

GRM0225C1E4R7BDAEL

ნაწილი საფონდო: 173967

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H2R0CZ01D

GRM1887U1H2R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7803

ტევადობა: 2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A3R8CD01D

GRM2196S2A3R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 1660

ტევადობა: 3.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A3R0CD01D

GRM2196S2A3R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 4606

ტევადობა: 3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E5R2WDAEL

GRM0225C1E5R2WDAEL

ნაწილი საფონდო: 130869

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H1R1CZ01D

GRM1557U1H1R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6683

ტევადობა: 1.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H2R3CZ01D

GRM1887U1H2R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8583

ტევადობა: 2.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A8R8DD01D

GRM2196S2A8R8DD01D

ნაწილი საფონდო: 510

ტევადობა: 8.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H820JDD5D

GRM1535C1H820JDD5D

ნაწილი საფონდო: 3398

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4C192MLXB

DHS4E4C192MLXB

ნაწილი საფონდო: 145

ტევადობა: 1900pF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 15000V (15kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM1556T1HR70CD01D

GRM1556T1HR70CD01D

ნაწილი საფონდო: 1424

ტევადობა: 0.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H111JZ01D

GRM1557U1H111JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4925

ტევადობა: 110pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71A124JA01J

GRM188R71A124JA01J

ნაწილი საფონდო: 6283

ტევადობა: 0.12µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი