კერამიკული კონდენსატორები

GRM0335C1H5R4DD01D

GRM0335C1H5R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 8779

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A3R2CD01D

GRM2196S2A3R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 2621

ტევადობა: 3.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H271JA16D

GCM2165C1H271JA16D

ნაწილი საფონდო: 112201

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R5CD01D

GRM0335C1H5R5CD01D

ნაწილი საფონდო: 3666

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R0BA01E

GRM0335C1H4R0BA01E

ნაწილი საფონდო: 3339

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72D104K3K1C11B

RDER72D104K3K1C11B

ნაწილი საფონდო: 5231

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H1R6CZ01D

GRM1887U1H1R6CZ01D

ნაწილი საფონდო: 247

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A430JZ01D

GRM2196S2A430JZ01D

ნაწილი საფონდო: 833

ტევადობა: 43pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E5R9DZ01D

GRM1555C1E5R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 628

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72D153K2K1C11B

RDER72D153K2K1C11B

ნაწილი საფონდო: 9351

ტევადობა: 0.015µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 200V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R7DZ01D

GRM1555C1E6R7DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4266

ტევადობა: 6.7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM219R71E473JA01D

GRM219R71E473JA01D

ნაწილი საფონდო: 57

ტევადობა: 0.047µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H560JD01J

GRM0335C1H560JD01J

ნაწილი საფონდო: 2942

ტევადობა: 56pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H362JA16D

GCM2165C1H362JA16D

ნაწილი საფონდო: 177791

ტევადობა: 3600pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM32ER61C106KA12L

GRM32ER61C106KA12L

ნაწილი საფონდო: 7663

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R1CD01D

GRM0335C1H5R1CD01D

ნაწილი საფონდო: 170

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R2CD01D

GRM0335C1H4R2CD01D

ნაწილი საფონდო: 7401

ტევადობა: 4.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R1BD01D

GRM0335C1H5R1BD01D

ნაწილი საფონდო: 49

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C2A431JA16D

GCM2165C2A431JA16D

ნაწილი საფონდო: 127351

ტევადობა: 430pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R7CDAEL

GRM0225C1E4R7CDAEL

ნაწილი საფონდო: 169732

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A8R4DD01D

GRM2196S2A8R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 4859

ტევადობა: 8.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155R61A105KE15J

GRM155R61A105KE15J

ნაწილი საფონდო: 122540

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0225C1E5R2BDAEL

GRM0225C1E5R2BDAEL

ნაწილი საფონდო: 195081

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R7WDAEL

GRM0225C1E4R7WDAEL

ნაწილი საფონდო: 194148

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H1R3CZ01D

GRM1557U1H1R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5075

ტევადობა: 1.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H242JA16D

GCM2165C1H242JA16D

ნაწილი საფონდო: 179015

ტევადობა: 2400pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H270JDD5D

GRM1535C1H270JDD5D

ნაწილი საფონდო: 1033

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A6R2DD01D

GRM2196S2A6R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 2837

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPER72A332K2P1A03B

RPER72A332K2P1A03B

ნაწილი საფონდო: 3947

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C1H101JB01D

GQM2195C1H101JB01D

ნაწილი საფონდო: 187565

ტევადობა: 100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM1557U1H1R6CZ01D

GRM1557U1H1R6CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2382

ტევადობა: 1.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1HR50BD01D

GRM1556T1HR50BD01D

ნაწილი საფონდო: 3575

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R6WDAEL

GRM0225C1E4R6WDAEL

ნაწილი საფონდო: 176242

ტევადობა: 4.6pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61A225KE34J

GRM188R61A225KE34J

ნაწილი საფონდო: 131418

ტევადობა: 2.2µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 10V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1556T1HR50CD01D

GRM1556T1HR50CD01D

ნაწილი საფონდო: 9444

ტევადობა: 0.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H220JDD5D

GRM1535C1H220JDD5D

ნაწილი საფონდო: 5759

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი