კერამიკული კონდენსატორები

GRM0225C1E5R2DDAEL

GRM0225C1E5R2DDAEL

ნაწილი საფონდო: 180733

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H621JA16D

GCM2165C1H621JA16D

ნაწილი საფონდო: 134111

ტევადობა: 620pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A5R4DD01D

GRM2196S2A5R4DD01D

ნაწილი საფონდო: 9537

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72H222K2K1C11B

RDER72H222K2K1C11B

ნაწილი საფონდო: 252

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A4R0CD01D

GRM2196S2A4R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 6396

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H8R0D2K1Z03B

RPE5C1H8R0D2K1Z03B

ნაწილი საფონდო: 3773

ტევადობა: 8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C2A301JA16D

GCM2165C2A301JA16D

ნაწილი საფონდო: 175484

ტევადობა: 300pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A6R8DD01D

GRM2196S2A6R8DD01D

ნაწილი საფონდო: 705

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R1CZ01D

GRM1555C1E7R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 787

ტევადობა: 7.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R6BDAEL

GRM0225C1E4R6BDAEL

ნაწილი საფონდო: 144728

ტევადობა: 4.6pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H4R0CZ01D

GRM1887U1H4R0CZ01D

ნაწილი საფონდო: 9251

ტევადობა: 4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H2R2CZ01D

GRM1887U1H2R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 481

ტევადობა: 2.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155C80J334KE01D

GRM155C80J334KE01D

ნაწილი საფონდო: 160114

ტევადობა: 0.33µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X6S, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 105°C,

სასურველი
RPE5C1H910J2P1Z03B

RPE5C1H910J2P1Z03B

ნაწილი საფონდო: 2120

ტევადობა: 91pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C2A561JA16D

GCM2165C2A561JA16D

ნაწილი საფონდო: 101986

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72H474MUB1C13B

RDER72H474MUB1C13B

ნაწილი საფონდო: 410

ტევადობა: 0.47µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R8DZ01D

GRM1555C1E6R8DZ01D

ნაწილი საფონდო: 6434

ტევადობა: 6.8pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71C333JA01D

GRM188R71C333JA01D

ნაწილი საფონდო: 2073

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM155R60J106ME44D

GRM155R60J106ME44D

ნაწილი საფონდო: 119317

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GCM2165C2A241JA16D

GCM2165C2A241JA16D

ნაწილი საფონდო: 167205

ტევადობა: 240pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H3R1CZ01D

GRM1887U1H3R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6641

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R7CD01J

GRM0335C1H4R7CD01J

ნაწილი საფონდო: 4784

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM1555C1H270JZ13D

GCM1555C1H270JZ13D

ნაწილი საფონდო: 285

ტევადობა: 27pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H391JZ01D

GRM1887U1H391JZ01D

ნაწილი საფონდო: 404

ტევადობა: 390pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R71E152KA01D

GRM188R71E152KA01D

ნაწილი საფონდო: 1636

ტევადობა: 1500pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R0DZ01D

GRM1555C1E7R0DZ01D

ნაწილი საფონდო: 675

ტევადობა: 7pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1HR80BD01D

GRM1556T1HR80BD01D

ნაწილი საფონდო: 3774

ტევადობა: 0.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C2A361JA16D

GCM2165C2A361JA16D

ნაწილი საფონდო: 166953

ტევადობა: 360pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R2CZ01D

GRM1555C1E6R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2503

ტევადობა: 6.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C2A3R9BB01D

GQM2195C2A3R9BB01D

ნაწილი საფონდო: 184706

ტევადობა: 3.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM1555C1E7R3DZ01D

GRM1555C1E7R3DZ01D

ნაწილი საფონდო: 4177

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H3R8CZ01D

GRM1887U1H3R8CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6320

ტევადობა: 3.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R4WDAEL

GRM0225C1E4R4WDAEL

ნაწილი საფონდო: 177594

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R8WDAEL

GRM0225C1E4R8WDAEL

ნაწილი საფონდო: 154051

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H1R0CDD5D

GRM1535C1H1R0CDD5D

ნაწილი საფონდო: 6173

ტევადობა: 1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RDER72H104K8K1C11B

RDER72H104K8K1C11B

ნაწილი საფონდო: 3939

ტევადობა: 0.1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 500V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი