კერამიკული კონდენსატორები

GRM0335C1H4R4CD01D

GRM0335C1H4R4CD01D

ნაწილი საფონდო: 5815

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1H180JDD5D

GRM1535C1H180JDD5D

ნაწილი საფონდო: 198

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM033R60J333KE01E

GRM033R60J333KE01E

ნაწილი საფონდო: 6874

ტევადობა: 0.033µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM2196S2A5R6DD01D

GRM2196S2A5R6DD01D

ნაწილი საფონდო: 364

ტევადობა: 5.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H182JA16D

GCM2165C1H182JA16D

ნაწილი საფონდო: 114921

ტევადობა: 1800pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H111GZ01D

GRM1557U1H111GZ01D

ნაწილი საფონდო: 7018

ტევადობა: 110pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R1DD01D

GRM0335C1H5R1DD01D

ნაწილი საფონდო: 8277

ტევადობა: 5.1pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H271JZ01D

GRM1887U1H271JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2706

ტევადობა: 270pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A4R8CD01D

GRM2196S2A4R8CD01D

ნაწილი საფონდო: 4038

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DHS4E4G701KL2B

DHS4E4G701KL2B

ნაწილი საფონდო: 1819

ტევადობა: 700pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 40000V (40kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: N4700, ოპერაციული ტემპერატურა: 20°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM0225C1E4R3BDAEL

GRM0225C1E4R3BDAEL

ნაწილი საფონდო: 199891

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H361JZ01D

GRM1887U1H361JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4934

ტევადობა: 360pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A360JZ01D

GRM2196S2A360JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2067

ტევადობა: 36pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R9DZ01D

GRM1555C1E6R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 2721

ტევადობა: 6.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C1H821JA16D

GCM2165C1H821JA16D

ნაწილი საფონდო: 195030

ტევადობა: 820pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R9CDAEL

GRM0225C1E4R9CDAEL

ნაწილი საფონდო: 105137

ტევადობა: 4.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A390JZ01D

GRM2196S2A390JZ01D

ნაწილი საფონდო: 2900

ტევადობა: 39pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E6R5CZ01D

GRM1555C1E6R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 6812

ტევადობა: 6.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R2DZ01D

GRM1555C1E7R2DZ01D

ნაწილი საფონდო: 3458

ტევადობა: 7.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GCM2165C2A112JA16D

GCM2165C2A112JA16D

ნაწილი საფონდო: 110702

ტევადობა: 1100pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1535C1HR70BDD5D

GRM1535C1HR70BDD5D

ნაწილი საფონდო: 7610

ტევადობა: 0.7pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A220JZ01D

GRM2196S2A220JZ01D

ნაწილი საფონდო: 5543

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A6R6DD01D

GRM2196S2A6R6DD01D

ნაწილი საფონდო: 4423

ტევადობა: 6.6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R5DZ01D

GRM1555C1E7R5DZ01D

ნაწილი საფონდო: 7934

ტევადობა: 7.5pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GQM2195C1H220GB01D

GQM2195C1H220GB01D

ნაწილი საფონდო: 122506

ტევადობა: 22pF, ტოლერანტობა: ±2%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C, მახასიათებლები: High Q, Low Loss,

სასურველი
GRM1557U1H180JZ01D

GRM1557U1H180JZ01D

ნაწილი საფონდო: 9504

ტევადობა: 18pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A5R2DD01D

GRM2196S2A5R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 1778

ტევადობა: 5.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A3R6CD01D

GRM2196S2A3R6CD01D

ნაწილი საფონდო: 6236

ტევადობა: 3.6pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E5R5CZ01D

GRM1555C1E5R5CZ01D

ნაწილი საფონდო: 7611

ტევადობა: 5.5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H8R9CD01D

GRM1556T1H8R9CD01D

ნაწილი საფონდო: 2973

ტევადობა: 8.9pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H561J2P1A03B

RPE5C1H561J2P1A03B

ნაწილი საფონდო: 5074

ტევადობა: 560pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM32ER71H105KA01L

GRM32ER71H105KA01L

ნაწილი საფონდო: 157467

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E3R1CDAEL

GRM0225C1E3R1CDAEL

ნაწილი საფონდო: 174293

ტევადობა: 3.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H160JZ01D

GRM1887U1H160JZ01D

ნაწილი საფონდო: 4289

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E4R8BZ01D

GRM1555C1E4R8BZ01D

ნაწილი საფონდო: 589

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1556T1H9R2DD01D

GRM1556T1H9R2DD01D

ნაწილი საფონდო: 1600

ტევადობა: 9.2pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი