კერამიკული კონდენსატორები

GRM2196S2A9R9DD01D

GRM2196S2A9R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 9857

ტევადობა: 9.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E8R1CZ01D

GRM1555C1E8R1CZ01D

ნაწილი საფონდო: 67

ტევადობა: 8.1pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H4R7CZ01D

GRM1887U1H4R7CZ01D

ნაწილი საფონდო: 5196

ტევადობა: 4.7pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H510JZ01D

GRM1887U1H510JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1992

ტევადობა: 51pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEJF3E2472ZA3B

DEJF3E2472ZA3B

ნაწილი საფონდო: 108909

ტევადობა: 4700pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1887U1H4R3CZ01D

GRM1887U1H4R3CZ01D

ნაწილი საფონდო: 745

ტევადობა: 4.3pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196T2A160JD01D

GRM2196T2A160JD01D

ნაწილი საფონდო: 5209

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61E105KA12J

GRM188R61E105KA12J

ნაწილი საფონდო: 173213

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R9DD01D

GRM0335C1H5R9DD01D

ნაწილი საფონდო: 374

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEJE3E2222ZN2A

DEJE3E2222ZN2A

ნაწილი საფონდო: 176740

ტევადობა: 2200pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM0225C1E5R4CDAEL

GRM0225C1E5R4CDAEL

ნაწილი საფონდო: 126692

ტევადობა: 5.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1555C1E7R9DZ01D

GRM1555C1E7R9DZ01D

ნაწილი საფონდო: 5289

ტევადობა: 7.9pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196T2A130JD01D

GRM2196T2A130JD01D

ნაწილი საფონდო: 7618

ტევადობა: 13pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: T2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R9BD01D

GRM0335C1H5R9BD01D

ნაწილი საფონდო: 5057

ტევადობა: 5.9pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEJE3E2332ZN3A

DEJE3E2332ZN3A

ნაწილი საფონდო: 158586

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 250V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: E, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1557U1H200JZ01D

GRM1557U1H200JZ01D

ნაწილი საფონდო: 1534

ტევადობა: 20pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R61C105KA93J

GRM188R61C105KA93J

ნაწილი საფონდო: 174362

ტევადობა: 1µF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM219R61C106MA73D

GRM219R61C106MA73D

ნაწილი საფონდო: 157939

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM1535C1H150JDD5D

GRM1535C1H150JDD5D

ნაწილი საფონდო: 2003

ტევადობა: 15pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
DEBB33D102KN2A

DEBB33D102KN2A

ნაწილი საფონდო: 164385

ტევადობა: 1000pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 2000V (2kV), ტემპერატურის კოეფიციენტი: B, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C, მახასიათებლები: High Voltage,

სასურველი
GRM033R70J332KA01E

GRM033R70J332KA01E

ნაწილი საფონდო: 2692

ტევადობა: 3300pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPE5C1H820J2K1Z03B

RPE5C1H820J2K1Z03B

ნაწილი საფონდო: 452

ტევადობა: 82pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
RPER72A221K2P1B03B

RPER72A221K2P1B03B

ნაწილი საფონდო: 1450

ტევადობა: 220pF, ტოლერანტობა: ±10%, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X7R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H5R0CD01D

GRM0335C1H5R0CD01D

ნაწილი საფონდო: 5667

ტევადობა: 5pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H160JZ01D

GRM1557U1H160JZ01D

ნაწილი საფონდო: 254

ტევადობა: 16pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A7R3DD01D

GRM2196S2A7R3DD01D

ნაწილი საფონდო: 503

ტევადობა: 7.3pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R4BD01D

GRM0335C1H4R4BD01D

ნაწილი საფონდო: 3226

ტევადობა: 4.4pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0335C1H4R8BD01D

GRM0335C1H4R8BD01D

ნაწილი საფონდო: 6943

ტევადობა: 4.8pF, ტოლერანტობა: ±0.1pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM0225C1E4R5WDAEL

GRM0225C1E4R5WDAEL

ნაწილი საფონდო: 197470

ტევადობა: 4.5pF, ტოლერანტობა: ±0.05pF, ძაბვა - შეფასებული: 25V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: C0G, NP0, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1887U1H3R2CZ01D

GRM1887U1H3R2CZ01D

ნაწილი საფონდო: 2751

ტევადობა: 3.2pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM188R60J475ME84J

GRM188R60J475ME84J

ნაწილი საფონდო: 179283

ტევადობა: 4.7µF, ტოლერანტობა: ±20%, ძაბვა - შეფასებული: 6.3V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: X5R, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
GRM31MF51C106ZA12K

GRM31MF51C106ZA12K

ნაწილი საფონდო: 129011

ტევადობა: 10µF, ტოლერანტობა: -20%, +80%, ძაბვა - შეფასებული: 16V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: Y5V (F),

სასურველი
GRM1557U1H120JZ01D

GRM1557U1H120JZ01D

ნაწილი საფონდო: 292

ტევადობა: 12pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H1R4CZ01D

GRM1557U1H1R4CZ01D

ნაწილი საფონდო: 8931

ტევადობა: 1.4pF, ტოლერანტობა: ±0.25pF, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM1557U1H100JZ01D

GRM1557U1H100JZ01D

ნაწილი საფონდო: 120

ტევადობა: 10pF, ტოლერანტობა: ±5%, ძაბვა - შეფასებული: 50V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: U2J, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი
GRM2196S2A6R0DD01D

GRM2196S2A6R0DD01D

ნაწილი საფონდო: 7858

ტევადობა: 6pF, ტოლერანტობა: ±0.5pF, ძაბვა - შეფასებული: 100V, ტემპერატურის კოეფიციენტი: S2H, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 125°C,

სასურველი