მეხსიერება

EDFA112A2PF-JD-F-D

EDFA112A2PF-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2624

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (128M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F256G08CKCABH2-10:A

MT29F256G08CKCABH2-10:A

ნაწილი საფონდო: 9203

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2121

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR

ნაწილი საფონდო: 2209

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
EDFA164A2PM-JD-F-R TR

EDFA164A2PM-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 403

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1

MT29F32G08ABAAAM73A3WC1

ნაწილი საფონდო: 9088

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR

MT29F1HT08EMHBBJ4-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 813

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR

MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR

ნაწილი საფონდო: 5024

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 3925

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 4095

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR

MT29F128G08EBCDBWP-10M:D TR

ნაწილი საფონდო: 8148

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
EDF8164A3PK-GD-F-D

EDF8164A3PK-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 8416

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDW2032BBBG-50-F-R TR

EDW2032BBBG-50-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 7860

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 1.25GHz,

სასურველი
MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR

MT29F1T08CMCBBJ4-37:B TR

ნაწილი საფონდო: 644

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT25QU512ABA8E12-0SIT TR

MT25QU512ABA8E12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 15402

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT25QL512ABA8E12-0SIT TR

MT25QL512ABA8E12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 8892

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT49H8M36BM-TI:B

MT49H8M36BM-TI:B

ნაწილი საფონდო: 1024

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36),

სასურველი
MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR

MT29F2T08CTCBBJ7-6R:B TR

ნაწილი საფონდო: 6192

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR

MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 3886

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR

MT53B512M64D4NK-062 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1419

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

ნაწილი საფონდო: 7620

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2806

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EMFA232A2PF-DV-F-R TR

EMFA232A2PF-DV-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 3839

სასურველი
MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR

MT29F256G08AKEBBK7-12:B TR

ნაწილი საფონდო: 5532

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F256G08AMCBBK7-6:B TR

MT29F256G08AMCBBK7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 5544

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
EDFA164A2PM-JDTJ-F-D

EDFA164A2PM-JDTJ-F-D

ნაწილი საფონდო: 2590

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
N25Q512A11GSF40G

N25Q512A11GSF40G

ნაწილი საფონდო: 2733

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A

ნაწილი საფონდო: 9798

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT41J256M16HA-093 J:E

MT41J256M16HA-093 J:E

ნაწილი საფონდო: 8889

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1066MHz,

სასურველი
MT40A512M16JY-075E IT:B

MT40A512M16JY-075E IT:B

ნაწილი საფონდო: 79

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
MT40A512M16HA-083E:A TR

MT40A512M16HA-083E:A TR

ნაწილი საფონდო: 4044

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 10395

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
EDFP112A3PD-GD-F-D

EDFP112A3PD-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2587

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 495

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT40A1G8WE-075E IT:B TR

MT40A1G8WE-075E IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 3251

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

MT29F3T08EUCBBM4-37:B TR

ნაწილი საფონდო: 394

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 3Tb (384G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი