მეხსიერება

EDB8164B4PT-1DAT-F-D

EDB8164B4PT-1DAT-F-D

ნაწილი საფონდო: 5356

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

MT29E256G08CMCDBJ5-6:D

ნაწილი საფონდო: 8640

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR

MT29F128G08CFAAAWP-IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 71

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR

MT29F1T208ECHBBJ4-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1051

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.125Tb (144G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT41K512M8RH-125 M AIT:E

MT41K512M8RH-125 M AIT:E

ნაწილი საფონდო: 9882

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F16G08ABACAWP:C TR

MT29F16G08ABACAWP:C TR

ნაწილი საფონდო: 9250

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
MT49H16M36FM-25:B TR

MT49H16M36FM-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 662

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDFP164A3PB-GD-F-D

EDFP164A3PB-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2706

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR

MT29F128G08AUCBBH3-12IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 551

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F256G08CEECBH6-12:C

MT29F256G08CEECBH6-12:C

ნაწილი საფონდო: 2291

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 2711

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
N25Q064A13ESEDFF TR

N25Q064A13ESEDFF TR

ნაწილი საფონდო: 9188

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT41K512M8RH-125 V:E

MT41K512M8RH-125 V:E

ნაწილი საფონდო: 8903

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT49H32M18CFM-25E:B TR

MT49H32M18CFM-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 805

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR

MT42L32M16D1AB-25 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7714

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDF8132A3MA-GD-F-R TR

EDF8132A3MA-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 118

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFP164A3PB-GD-F-R TR

EDFP164A3PB-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 802

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFP112A3PF-JDTJ-F-D

EDFP112A3PF-JDTJ-F-D

ნაწილი საფონდო: 2703

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR

MT35XU02GCBA4G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 3915

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

MT29E256G08CBHBBJ4-3ES:B

ნაწილი საფონდო: 1845

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
EDF8164A3PF-JD-F-D

EDF8164A3PF-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2776

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F1T08CUECBH8-12:C TR

MT29F1T08CUECBH8-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 543

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR

MT25QU256ABA1ESF-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 26999

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
N25Q064A13ESEH0E

N25Q064A13ESEH0E

ნაწილი საფონდო: 34391

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT49H32M18CFM-18:B

MT49H32M18CFM-18:B

ნაწილი საფონდო: 679

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

MT42L128M64D2MC-18 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7643

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT41K512M8RG-093:N TR

MT41K512M8RG-093:N TR

ნაწილი საფონდო: 7269

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

MT29F1T208EGCBBG1-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 927

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.125Tb (144G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT49H64M9FM-25:B

MT49H64M9FM-25:B

ნაწილი საფონდო: 969

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (64M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT40A1G4HX-083E:A

MT40A1G4HX-083E:A

ნაწილი საფონდო: 8409

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (1G x 4), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

ნაწილი საფონდო: 4275

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
PC28F640P30TF65B TR

PC28F640P30TF65B TR

ნაწილი საფონდო: 25926

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 52MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 65ns,

სასურველი
EDF8164A3PF-GD-F-R TR

EDF8164A3PF-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 6052

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR

MT29F2T08CUHBBM4-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 609

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 1833

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

MT53B768M32D4TT-062 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1494

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი