მეხსიერება

N25Q256A81ESF40F TR

N25Q256A81ESF40F TR

ნაწილი საფონდო: 22913

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A

MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A

ნაწილი საფონდო: 8878

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR

MT53B384M64D4TZ-053 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 2216

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F128G08AMCABK3-10:A

MT29F128G08AMCABK3-10:A

ნაწილი საფონდო: 9195

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
EDFA232A2PF-GD-F-R TR

EDFA232A2PF-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 512

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFA112A2PD-GD-F-D

EDFA112A2PD-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2526

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (128M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V TR

MT29TZZZ7D6EKKFB-107 W.96V TR

ნაწილი საფონდო: 1425

სასურველი
EDF8132A3PB-GD-F-R TR

EDF8132A3PB-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 6049

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

ნაწილი საფონდო: 2137

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F256G08CJAAAWP-IT:A

MT29F256G08CJAAAWP-IT:A

ნაწილი საფონდო: 9684

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
EMFM432A1PH-DV-F-R TR

EMFM432A1PH-DV-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 3258

სასურველი
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

MT41K512M8RH-125 XIT:E TR

ნაწილი საფონდო: 10027

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT41K256M16HA-125 V:E TR

MT41K256M16HA-125 V:E TR

ნაწილი საფონდო: 9964

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EMFM432A1PH-DV-F-D

EMFM432A1PH-DV-F-D

ნაწილი საფონდო: 3177

სასურველი
EDBM432B3PF-1D-F-R TR

EDBM432B3PF-1D-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 102

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
EDW4032CABG-50-N-F-D

EDW4032CABG-50-N-F-D

ნაწილი საფონდო: 3983

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 1.25GHz,

სასურველი
MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR

MT29F256G08AKCBBH7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 5561

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR

MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G TR

ნაწილი საფონდო: 9271

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR

MT29F128G08CBCABH6-6M:A TR

ნაწილი საფონდო: 9246

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT40A512M16HA-083E IT:A TR

MT40A512M16HA-083E IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 3386

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 9812

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
EDY4016AABG-GX-F-D

EDY4016AABG-GX-F-D

ნაწილი საფონდო: 8578

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
EDB4064B3PP-1D-F-D

EDB4064B3PP-1D-F-D

ნაწილი საფონდო: 7886

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (64M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1107

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT49H32M18CSJ-25E:B TR

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 1609

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29C3DAMF-DC TR

MT29C3DAMF-DC TR

ნაწილი საფონდო: 3875

სასურველი
MT29F1T08CUECBH8-12:C

MT29F1T08CUECBH8-12:C

ნაწილი საფონდო: 552

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR

MT42L128M32D1LF-18 WT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7533

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
M29F400FT55M32

M29F400FT55M32

ნაწილი საფონდო: 2250

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
MT49H32M18FM-25E:B TR

MT49H32M18FM-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 893

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F8G08ADADAH4-E:D TR

MT29F8G08ADADAH4-E:D TR

ნაწილი საფონდო: 7025

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR

MT29F256G08CECBBH6-6R:B TR

ნაწილი საფონდო: 2769

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q256A83ESFA0F TR

N25Q256A83ESFA0F TR

ნაწილი საფონდო: 14014

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR

MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 2752

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EDFA164A2MA-JD-F-R TR

EDFA164A2MA-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 317

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

ნაწილი საფონდო: 6766

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი