მეხსიერება

MT29F64G08AECABH1-10IT:A TR

MT29F64G08AECABH1-10IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 9472

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F TR

ნაწილი საფონდო: 6033

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
EDF8164A3PK-JD-F-D

EDF8164A3PK-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 5028

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFA164A2MA-GD-F-D

EDFA164A2MA-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 8405

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
NAND128W3AABN6E

NAND128W3AABN6E

ნაწილი საფონდო: 9763

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR

MT53B384M64D4TX-053 WT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1290

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT40A512M16JY-062E:B

MT40A512M16JY-062E:B

ნაწილი საფონდო: 41

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
EDFA164A2PK-GD-F-D

EDFA164A2PK-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3268

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

MT42L128M32D1TK-25 AAT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7607

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDFA232A2PD-GD-F-D

EDFA232A2PD-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3348

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F128G08CFAABWP-12:A TR

MT29F128G08CFAABWP-12:A TR

ნაწილი საფონდო: 149

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 358

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR

MT29F2G08ABAEAWP-AT:E TR

ნაწილი საფონდო: 15579

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
MT29F16G08ABACAM72A3WC1

MT29F16G08ABACAM72A3WC1

ნაწილი საფონდო: 9044

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
EMF8132A3MA-DV-F-D

EMF8132A3MA-DV-F-D

ნაწილი საფონდო: 4778

სასურველი
MT40A1G16HBA-083E:A TR

MT40A1G16HBA-083E:A TR

ნაწილი საფონდო: 1152

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (1G x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT49H64M9FM-25:B TR

MT49H64M9FM-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 923

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (64M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR

MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR

ნაწილი საფონდო: 9606

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
EDFA232A2PD-GD-F-R TR

EDFA232A2PD-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 9138

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDW4032BABG-70-F-R TR

EDW4032BABG-70-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 7872

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 1.75GHz,

სასურველი
N25Q512A83G12H0F TR

N25Q512A83G12H0F TR

ნაწილი საფონდო: 8248

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT40A2G4TRF-093E:A

MT40A2G4TRF-093E:A

ნაწილი საფონდო: 8517

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (2G x 4), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR

MT29F1T08CUEABH8-12IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 5447

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
EDB4416BBBH-1DIT-F-D

EDB4416BBBH-1DIT-F-D

ნაწილი საფონდო: 8049

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E TR

ნაწილი საფონდო: 11460

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 1343

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR

ნაწილი საფონდო: 26717

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8),

სასურველი
MT49H32M9FM-25:B

MT49H32M9FM-25:B

ნაწილი საფონდო: 851

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (32M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 8219

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR

MT29F128G08CECDBJ4-6R:D TR

ნაწილი საფონდო: 3320

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
EDFA364A3MA-GD-F-D

EDFA364A3MA-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2527

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR

MT35XL01GBBA4G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 7293

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT29F1T08CUCABK8-6:A TR

MT29F1T08CUCABK8-6:A TR

ნაწილი საფონდო: 435

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q512A13GSFH0E

N25Q512A13GSFH0E

ნაწილი საფონდო: 2940

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT40A512M8RH-075E AUT:B TR

MT40A512M8RH-075E AUT:B TR

ნაწილი საფონდო: 4360

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 1.33GHz,

სასურველი
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR

ნაწილი საფონდო: 366

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი