მეხსიერება

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1950

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 768Gb (96G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
EDFA232A2PF-GD-F-D

EDFA232A2PF-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3337

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

MT29F512G08CKECBH7-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 1119

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

MT29F1HT08EMCBBJ4-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1034

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
EMFA164A2PB-DV-F-D

EMFA164A2PB-DV-F-D

ნაწილი საფონდო: 2530

სასურველი
EDF4432ACPE-GD-F-D

EDF4432ACPE-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3056

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
N25Q512A83G12A0F TR

N25Q512A83G12A0F TR

ნაწილი საფონდო: 8263

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
PC28F256P30B2E

PC28F256P30B2E

ნაწილი საფონდო: 14042

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), საათის სიხშირე: 52MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 4401

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F256G08CKCBBH2-10:B

MT29F256G08CKCBBH2-10:B

ნაწილი საფონდო: 9258

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
M29DW256G70NF3E

M29DW256G70NF3E

ნაწილი საფონდო: 8333

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR

ნაწილი საფონდო: 14901

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16),

სასურველი
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 9417

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR

MT52L256M32D1PD-107 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 7257

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

MT53B384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 2273

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT49H16M18CFM-25:B TR

MT49H16M18CFM-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 634

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDF8164A3MA-JD-F-D

EDF8164A3MA-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3724

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B

MT29F8G08ABABAWP-AATX:B

ნაწილი საფონდო: 70

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
N25Q064A13E12D0E

N25Q064A13E12D0E

ნაწილი საფონდო: 2551

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q256A83ESF40E

N25Q256A83ESF40E

ნაწილი საფონდო: 22877

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR

MT29F64G08CFACBWP-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 10074

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

ნაწილი საფონდო: 9126

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

MT29E3T08EUHBBM4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 537

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 3Tb (384G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

MT25QL512ABA8E12-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 8976

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

EDB4416BBBH-1DIT-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 7680

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F128G08CFABAWP-IT:B

MT29F128G08CFABAWP-IT:B

ნაწილი საფონდო: 8781

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MTFC16GAKAECN-5M AIT

MTFC16GAKAECN-5M AIT

ნაწილი საფონდო: 3072

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29F512G08CUCABH3-10:A

MT29F512G08CUCABH3-10:A

ნაწილი საფონდო: 9747

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
N25Q008A11ESC40FS01 TR

N25Q008A11ESC40FS01 TR

ნაწილი საფონდო: 75721

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 8Mb (1M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MTFC16GALAJEA-WT TR

MTFC16GALAJEA-WT TR

ნაწილი საფონდო: 5442

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A

MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A

ნაწილი საფონდო: 8887

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR

MT29F128G08CBEABH6-12IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 4553

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
N25Q064A11ESECFF TR

N25Q064A11ESECFF TR

ნაწილი საფონდო: 82307

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 988

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR

MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 275

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 6Tb (768G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT49H32M18CFM-25:B TR

MT49H32M18CFM-25:B TR

ნაწილი საფონდო: 757

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი