მეხსიერება

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

MT29E2T08CUHBBM4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 587

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT49H16M36FM-25E:B TR

MT49H16M36FM-25E:B TR

ნაწილი საფონდო: 701

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

ნაწილი საფონდო: 1966

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F128G08EBEBBWPES:B TR

MT29F128G08EBEBBWPES:B TR

ნაწილი საფონდო: 8389

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR

MT29C4G96MAZBBCJV-48 IT TR

ნაწილი საფონდო: 4196

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM), საათის სიხშირე: 208MHz,

სასურველი
EDFA112A2PD-GD-F-R TR

EDFA112A2PD-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 234

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (128M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR

MT35XL02GCBA2G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 525

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
N25Q128A31EF840E

N25Q128A31EF840E

ნაწილი საფონდო: 3687

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F32G08AECCBH1-10:C

MT29F32G08AECCBH1-10:C

ნაწილი საფონდო: 8002

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT51J256M32HF-60:A TR

MT51J256M32HF-60:A TR

ნაწილი საფონდო: 4439

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
N25Q016A11ESCA0F TR

N25Q016A11ESCA0F TR

ნაწილი საფონდო: 1063

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 1ms,

სასურველი
MT53B4DBNH-DC

MT53B4DBNH-DC

ნაწილი საფონდო: 1445

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR

MT42L256M16D1GU-18 WT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7591

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
M29F400FB5AM6T2 TR

M29F400FB5AM6T2 TR

ნაწილი საფონდო: 910

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 2537

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR

MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 5160

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F1T08CUEABH8-12:A

MT29F1T08CUEABH8-12:A

ნაწილი საფონდო: 9690

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR

MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1057

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

ნაწილი საფონდო: 5859

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (128M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
M29F400FB55M3T2 TR

M29F400FB55M3T2 TR

ნაწილი საფონდო: 883

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
EDB4064B3PD-8D-F-D

EDB4064B3PD-8D-F-D

ნაწილი საფონდო: 7862

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (64M x 64), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC64GANALAM-WT

MTFC64GANALAM-WT

ნაწილი საფონდო: 1439

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT41K256M16TW-093 IT:P TR

MT41K256M16TW-093 IT:P TR

ნაწილი საფონდო: 6122

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F64G08AECABH1-10IT:A

MT29F64G08AECABH1-10IT:A

ნაწილი საფონდო: 9815

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F128G08EBCDBB05A3WC1

MT29F128G08EBCDBB05A3WC1

ნაწილი საფონდო: 113

სასურველი
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR

MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR

ნაწილი საფონდო: 1901

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR

MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 3880

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29C3DBAN-DC TR

MT29C3DBAN-DC TR

ნაწილი საფონდო: 3841

სასურველი
MT49H32M18CSJ-25E IT:B

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

ნაწილი საფონდო: 1251

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
NAND512R3A2SN6F

NAND512R3A2SN6F

ნაწილი საფონდო: 9928

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

ნაწილი საფონდო: 850

სასურველი
MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR

MT29F768G08EEHBBJ4-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1672

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 768Gb (96G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
N25Q032A13EF4A0F TR

N25Q032A13EF4A0F TR

ნაწილი საფონდო: 53524

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P

MT29F16G08CBECBL72A3WC1P

ნაწილი საფონდო: 7988

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR

ნაწილი საფონდო: 5302

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
N25Q128A13ESEH0E

N25Q128A13ESEH0E

ნაწილი საფონდო: 3574

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი