მეხსიერება

MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D

MT29F1G08ABBDAH4-ITE:D

ნაწილი საფონდო: 9591

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8),

სასურველი
EDFB232A1MA-GD-F-D

EDFB232A1MA-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3329

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFM432A1PF-JD-F-D

EDFM432A1PF-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3356

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT41K128M16JT-125 V:K TR

MT41K128M16JT-125 V:K TR

ნაწილი საფონდო: 13182

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFP164A3PD-GD-F-D

EDFP164A3PD-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2876

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR

ნაწილი საფონდო: 9660

სასურველი
EMF8132A3PF-DV-F-R TR

EMF8132A3PF-DV-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 7199

სასურველი
EDBA164B2PF-1D-F-R TR

EDBA164B2PF-1D-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 3220

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29E3T08EQHBBG2-3:B

MT29E3T08EQHBBG2-3:B

ნაწილი საფონდო: 479

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 3Tb (384G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR

MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR

ნაწილი საფონდო: 5773

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
EDF8132A3PF-GD-F-R TR

EDF8132A3PF-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 131

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR

MT29F1T208ECCBBJ4-37:B TR

ნაწილი საფონდო: 747

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.125Tb (144G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR

MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 4139

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT49H16M18FM-25 IT:B

MT49H16M18FM-25 IT:B

ნაწილი საფონდო: 8105

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDBA232B2PB-1D-F-R TR

EDBA232B2PB-1D-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 3210

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR

MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 4926

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
NAND512W3A2SE06

NAND512W3A2SE06

ნაწილი საფონდო: 9836

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T08CMHBBJ4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1219

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

MT29E2T08CTCBBJ7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 4260

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT40A2G4TRF-083E:A

MT40A2G4TRF-083E:A

ნაწილი საფონდო: 8477

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (2G x 4), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
EDFA232A2MA-GD-F-R TR

EDFA232A2MA-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 392

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B

MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B

ნაწილი საფონდო: 2991

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT44K16M36RB-107E IT:B TR

MT44K16M36RB-107E IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1439

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (16M x 36), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

EDB5432BEPA-1DAAT-F-D

ნაწილი საფონდო: 15445

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR

MT29TZZZ5D6YKFAH-107 W.96N TR

ნაწილი საფონდო: 7048

სასურველი
MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

MT29E1T08CPCBBH8-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 4295

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT28HL04GGBB1EBK-0GCT

MT28HL04GGBB1EBK-0GCT

ნაწილი საფონდო: 4284

სასურველი
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C

MT53B512M64D4NW-062 WT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1116

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1455

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR

MT29F32G08CBCDBJ4-10:D TR

ნაწილი საფონდო: 9966

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

ნაწილი საფონდო: 7733

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (64M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

ნაწილი საფონდო: 9422

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR

MT29TZZZ5D6JKFRL-107 W.96R TR

ნაწილი საფონდო: 1726

სასურველი
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

ნაწილი საფონდო: 14490

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH, PSRAM, მეხსიერების ზომა: 256Mb (16M x 16), 128M (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
EDW2032BBBG-6A-F-R TR

EDW2032BBBG-6A-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8318

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q TR

MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q TR

ნაწილი საფონდო: 3582

სასურველი