მეხსიერება

MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR

MT29F1T08CPCBBH8-6R:B TR

ნაწილი საფონდო: 4899

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR

MT29F256G08CBCBBWP-10:B TR

ნაწილი საფონდო: 4209

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
EDFA164A2PF-GD-F-R TR

EDFA164A2PF-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 320

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR

MT29F768G08EECBBJ4-37:B TR

ნაწილი საფონდო: 1130

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 768Gb (96G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
EDF8132A3MA-JD-F-R TR

EDF8132A3MA-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 59

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR

ნაწილი საფონდო: 216

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 6Tb (768G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C

MT53B384M64D4TP-062 XT ES:C

ნაწილი საფონდო: 1408

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR

MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 38731

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

MT41K256M16HA-125 AAT:E TR

ნაწილი საფონდო: 76

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDF8164A3PD-GD-F-D

EDF8164A3PD-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 4088

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR

MT29F128G08AUCBBH3-12:B TR

ნაწილი საფონდო: 494

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
EDFA164A2PF-JD-F-R TR

EDFA164A2PF-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 334

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFA232A2PB-GD-F-D

EDFA232A2PB-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3305

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
NAND512R3A2SN6E

NAND512R3A2SN6E

ნაწილი საფონდო: 9799

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR

MT29F128G08AKCDBJ5-6:D TR

ნაწილი საფონდო: 4503

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B

MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B

ნაწილი საფონდო: 2925

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

MT41K512M8RH-125 M AIT:E TR

ნაწილი საფონდო: 9586

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR

MT35XU01GBBA2G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 548

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT29F256G08AUCABK4-10:A

MT29F256G08AUCABK4-10:A

ნაწილი საფონდო: 9226

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
EDF8164A3PM-GD-F-D

EDF8164A3PM-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2544

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
N28H00EB03EDK34E

N28H00EB03EDK34E

ნაწილი საფონდო: 2311

სასურველი
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR

MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 9388

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
EDFA164A2PH-GD-F-R TR

EDFA164A2PH-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 302

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT51J256M32HF-70:A TR

MT51J256M32HF-70:A TR

ნაწილი საფონდო: 4511

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1.75GHz,

სასურველი
MT49H32M18CFM-18:B TR

MT49H32M18CFM-18:B TR

ნაწილი საფონდო: 780

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR

MT29F128G08CFABAWP-IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 74

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR

MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR

ნაწილი საფონდო: 1935

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT28FW01GABA1LJS-0AAT TR

MT28FW01GABA1LJS-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 6582

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR

MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR

ნაწილი საფონდო: 6855

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 3415

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT49H8M36FM-25 IT:B

MT49H8M36FM-25 IT:B

ნაწილი საფონდო: 1004

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR

MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B TR

ნაწილი საფონდო: 629

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR

MT29F256G08AKCBBK7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 5492

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MTFC4GMDEA-4M IT

MTFC4GMDEA-4M IT

ნაწილი საფონდო: 8792

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR

MT29F1HT08ELHBBG1-3R:B TR

ნაწილი საფონდო: 1036

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR

ნაწილი საფონდო: 1568

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი