მეხსიერება

MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR

MT29F64G08CBABAWP-IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 7882

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8),

სასურველი
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

ნაწილი საფონდო: 9752

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

MT29F64G08ABCBBH6-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 6793

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT53B2DANL-DC

MT53B2DANL-DC

ნაწილი საფონდო: 2507

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
EDFP264A2PB-JD-F-R TR

EDFP264A2PB-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 873

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
N25Q512A13GSFA0F TR

N25Q512A13GSFA0F TR

ნაწილი საფონდო: 7894

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q064A13EW94ME

N25Q064A13EW94ME

ნაწილი საფონდო: 3658

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 9094

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EDY4016AABG-JD-F-R TR

EDY4016AABG-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8456

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
MT25QU128ABA8E14-1SIT TR

MT25QU128ABA8E14-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 28446

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 8776

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

MT29F1G01ABAFD12-AATES:F

ნაწილი საფონდო: 11931

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (1G x 1),

სასურველი
MT53B4DAPV-DC TR

MT53B4DAPV-DC TR

ნაწილი საფონდო: 8097

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
N25Q512A81GSF40F TR

N25Q512A81GSF40F TR

ნაწილი საფონდო: 1296

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
EDB130ABDBH-1D-F-D

EDB130ABDBH-1D-F-D

ნაწილი საფონდო: 17990

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16, 32M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
PF58F0095HVT0B0A

PF58F0095HVT0B0A

ნაწილი საფონდო: 8378

სასურველი
EDF8132A3PB-JD-F-R TR

EDF8132A3PB-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8991

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F256G08CKCABH2-12:A TR

MT29F256G08CKCABH2-12:A TR

ნაწილი საფონდო: 358

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT40A512M16LY-062E:E

MT40A512M16LY-062E:E

ნაწილი საფონდო: 124

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
NAND256W3A2BE06

NAND256W3A2BE06

ნაწილი საფონდო: 9774

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1299

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
NAND512R3A2SZA6F

NAND512R3A2SZA6F

ნაწილი საფონდო: 9843

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT53B4DAANK-DC

MT53B4DAANK-DC

ნაწილი საფონდო: 1132

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29F512G08CMCABK7-6:A

MT29F512G08CMCABK7-6:A

ნაწილი საფონდო: 9145

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT29TZZZAD7JKKFB-107 W.97R TR

MT29TZZZAD7JKKFB-107 W.97R TR

ნაწილი საფონდო: 7209

სასურველი
MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

MT53D384M64D4TZ-053 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 2266

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT29F512G08CMCABK7-6:A TR

MT29F512G08CMCABK7-6:A TR

ნაწილი საფონდო: 277

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT49H16M18FM-33:B

MT49H16M18FM-33:B

ნაწილი საფონდო: 663

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 300MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

MT53B384M64D4NH-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1456

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

EDFP112A3PB-JDTJ-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 738

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 2116

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EDFA112A2PD-JD-F-R TR

EDFA112A2PD-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 288

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (128M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

ნაწილი საფონდო: 11265

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH, PSRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), 128M (8M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
N25Q128A11ESECFE

N25Q128A11ESECFE

ნაწილი საფონდო: 3562

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

MT29F1T08CUEABH8-12:A TR

ნაწილი საფონდო: 9383

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
EDBM432B3PB-1D-F-D

EDBM432B3PB-1D-F-D

ნაწილი საფონდო: 3105

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი