მეხსიერება

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 8209

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT25QU256ABA8E14-1SIT TR

MT25QU256ABA8E14-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 21641

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT53B4DAEZ-DC TR

MT53B4DAEZ-DC TR

ნაწილი საფონდო: 8127

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT44K32M18RB-093F:B TR

MT44K32M18RB-093F:B TR

ნაწილი საფონდო: 1183

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT40A512M8HX-093E:A

MT40A512M8HX-093E:A

ნაწილი საფონდო: 8511

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
N25Q064A13E12D1F TR

N25Q064A13E12D1F TR

ნაწილი საფონდო: 93584

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
EDFA164A2PF-GD-F-D

EDFA164A2PF-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2862

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDF8164A3MA-GD-F-R TR

EDF8164A3MA-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 178

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDFA112A2PF-GD-F-R TR

EDFA112A2PF-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 9114

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (128M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR

MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR

ნაწილი საფონდო: 4826

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8),

სასურველი
MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR

MT35XU02GCBA2G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 569

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1T208ECHBBJ4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1294

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.125Tb (144G x 8),

სასურველი
MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR

MT35XU01GBBA4G12-0SIT TR

ნაწილი საფონდო: 7570

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
EDB8164B4PT-1DIT-F-D

EDB8164B4PT-1DIT-F-D

ნაწილი საფონდო: 5439

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR

MT25QL01GBBA8E12-1SIT TR

ნაწილი საფონდო: 9278

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR

MT29F16G08CBACBWP-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 9256

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
MT53B4DABNK-DC

MT53B4DABNK-DC

ნაწილი საფონდო: 1425

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR

MT29F2T08CQCBBG2-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 635

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
M29W400DB70ZE6F TR

M29W400DB70ZE6F TR

ნაწილი საფონდო: 1004

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
EDFA232A2MA-JD-F-D

EDFA232A2MA-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 3637

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NV MS TR

MT53B256M64D2NV MS TR

ნაწილი საფონდო: 9621

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64),

სასურველი
ECY4008AACS-Y3

ECY4008AACS-Y3

ნაწილი საფონდო: 8525

სასურველი
MT29F32G08AECCBH1-10:C TR

MT29F32G08AECCBH1-10:C TR

ნაწილი საფონდო: 9366

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT53B2DANH-DC

MT53B2DANH-DC

ნაწილი საფონდო: 8912

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT41K256M16HA-125 AAT:E

MT41K256M16HA-125 AAT:E

ნაწილი საფონდო: 7924

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDBM432B3PD-1D-F-D

EDBM432B3PD-1D-F-D

ნაწილი საფონდო: 3219

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 12Gb (384M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
EDW2032BBBG-60-F-D

EDW2032BBBG-60-F-D

ნაწილი საფონდო: 8413

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 1.5GHz,

სასურველი
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A

MT29F128G08AMCABH2-10IT:A

ნაწილი საფონდო: 9229

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
N25Q032A13ESEH0F TR

N25Q032A13ESEH0F TR

ნაწილი საფონდო: 1081

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (8M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

MT29F4G08ABADAH4-AT:D TR

ნაწილი საფონდო: 10996

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT44K64M18RB-093F:A TR

MT44K64M18RB-093F:A TR

ნაწილი საფონდო: 912

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 1.125Gb (64Mb x 18), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT53B2DAANK-DC

MT53B2DAANK-DC

ნაწილი საფონდო: 2167

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
MT29F256G08CJAAAWP:A TR

MT29F256G08CJAAAWP:A TR

ნაწილი საფონდო: 9334

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
EMF8164A3PK-DV-F-D

EMF8164A3PK-DV-F-D

ნაწილი საფონდო: 3419

სასურველი
EMFA164A2PM-DV-F-D

EMFA164A2PM-DV-F-D

ნაწილი საფონდო: 3864

სასურველი
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR

MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 6277

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Tb (256G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი