მეხსიერება

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

MT29F512G08ELCDBG7-37ES:D TR

ნაწილი საფონდო: 2128

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი
MT41K512M8RH-125 V:E TR

MT41K512M8RH-125 V:E TR

ნაწილი საფონდო: 9920

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
N25Q016A11EF640E

N25Q016A11EF640E

ნაწილი საფონდო: 3788

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 1ms,

სასურველი
MT29F2G08ABBFAH4:F TR

MT29F2G08ABBFAH4:F TR

ნაწილი საფონდო: 6132

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
NAND512R3A2SE06

NAND512R3A2SE06

ნაწილი საფონდო: 9834

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT49H64M9FM-25E:B

MT49H64M9FM-25E:B

ნაწილი საფონდო: 918

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (64M x 9), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
EDB1332BDPC-1D-F-D

EDB1332BDPC-1D-F-D

ნაწილი საფონდო: 19025

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (32M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR

MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR

ნაწილი საფონდო: 8031

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 6977

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT41K2G4SN-107:A TR

MT41K2G4SN-107:A TR

ნაწილი საფონდო: 7454

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 8Gb (2G x 4), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

ნაწილი საფონდო: 3406

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
EDY4016AABG-DR-F-R TR

EDY4016AABG-DR-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 8409

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
EDBA232B2PD-1D-F-D

EDBA232B2PD-1D-F-D

ნაწილი საფონდო: 3201

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 16Gb (512M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

MT53B768M32D4TT-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1494

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (768M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

ნაწილი საფონდო: 2475

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR

MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR

ნაწილი საფონდო: 5617

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

ნაწილი საფონდო: 11622

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

ნაწილი საფონდო: 7747

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 324

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 333MHz,

სასურველი
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

ნაწილი საფონდო: 7285

სასურველი
MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

MT53B384M64D4TX-053 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 2301

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MTFC32GALAJAM-WT TR

MTFC32GALAJAM-WT TR

ნაწილი საფონდო: 2977

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
MT29F4G16ABADAM60A3WC1

MT29F4G16ABADAM60A3WC1

ნაწილი საფონდო: 9675

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16),

სასურველი
MT51J256M32HF-80:A TR

MT51J256M32HF-80:A TR

ნაწილი საფონდო: 4134

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: RAM, ტექნოლოგია: SGRAM - GDDR5, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 2.0GHz,

სასურველი
NAND256W3A0BN6E

NAND256W3A0BN6E

ნაწილი საფონდო: 9833

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

MT41K256M16TW-107 M AIT:P TR

ნაწილი საფონდო: 6533

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F1T08CUCABK8-6:A

MT29F1T08CUCABK8-6:A

ნაწილი საფონდო: 9187

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q064A13ESED0G

N25Q064A13ESED0G

ნაწილი საფონდო: 8401

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q256A81ESF40G

N25Q256A81ESF40G

ნაწილი საფონდო: 29104

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
EDY4016AABG-JD-F-D

EDY4016AABG-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 8544

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
MT40A256M16GE-062E:B

MT40A256M16GE-062E:B

ნაწილი საფონდო: 3756

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 7982

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT49H32M9FM-33:B

MT49H32M9FM-33:B

ნაწილი საფონდო: 865

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (32M x 9), საათის სიხშირე: 300MHz,

სასურველი
EDF8164A3PK-JD-F-R TR

EDF8164A3PK-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 5012

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDY4016AABG-DR-F-D

EDY4016AABG-DR-F-D

ნაწილი საფონდო: 8484

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 300

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Tb (512G x 8), საათის სიხშირე: 267MHz,

სასურველი