მეხსიერება

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

EDB5432BEPA-1DIT-F-D

ნაწილი საფონდო: 16980

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
N25Q064A13EF640FN02 TR

N25Q064A13EF640FN02 TR

ნაწილი საფონდო: 98847

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

ნაწილი საფონდო: 11993

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH, PSRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
MT29F1T08CPECBH8-12:C TR

MT29F1T08CPECBH8-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 5389

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR

MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 1434

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
N25Q256A13E12A0F TR

N25Q256A13E12A0F TR

ნაწილი საფონდო: 14423

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (64M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT29F128G08CBCABH6-6M:A

MT29F128G08CBCABH6-6M:A

ნაწილი საფონდო: 9509

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR

MT29F256G08AMCBBH7-6:B TR

ნაწილი საფონდო: 5506

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
N25Q128A13ESEA0F TR

N25Q128A13ESEA0F TR

ნაწილი საფონდო: 1139

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (32M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR

MT25QL01GBBA8E12E01-2SIT TR

ნაწილი საფონდო: 8512

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MTFC64GAJAEDN-5M AIT

MTFC64GAJAEDN-5M AIT

ნაწილი საფონდო: 1018

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8),

სასურველი
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 8877

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT40A1G8WE-083E IT:B TR

MT40A1G8WE-083E IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 3448

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), საათის სიხშირე: 1.2GHz,

სასურველი
MT53B384M64D4NZ-053 WT:C

MT53B384M64D4NZ-053 WT:C

ნაწილი საფონდო: 2128

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1866MHz,

სასურველი
MT41K256M16TW-107 AIT:P

MT41K256M16TW-107 AIT:P

ნაწილი საფონდო: 4602

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR3L, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 16034

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

MT29E1HT08EMHBBJ4-3ES:B TR

ნაწილი საფონდო: 949

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1.5Tb (192G x 8),

სასურველი
MT49H8M36SJ-5:B

MT49H8M36SJ-5:B

ნაწილი საფონდო: 1052

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
MT29F512G08CMEABH7-12:A TR

MT29F512G08CMEABH7-12:A TR

ნაწილი საფონდო: 9403

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR

MT29F64G08CECCBH1-12:C TR

ნაწილი საფონდო: 9522

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
N25Q512A11G1240E

N25Q512A11G1240E

ნაწილი საფონდო: 2507

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (128M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
N25Q064A11ESECFE

N25Q064A11ESECFE

ნაწილი საფონდო: 3529

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (16M x 4), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 5ms,

სასურველი
MT40A512M16LY-062E:E TR

MT40A512M16LY-062E:E TR

ნაწილი საფონდო: 79

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - DDR4, მეხსიერების ზომა: 8Gb (512M x 16), საათის სიხშირე: 1.6GHz,

სასურველი
MT53B384M16D1Z0AQWC1

MT53B384M16D1Z0AQWC1

ნაწილი საფონდო: 4515

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 6Gb (384M x 16),

სასურველი
MT29F256G08EFEBBWP:B TR

MT29F256G08EFEBBWP:B TR

ნაწილი საფონდო: 6067

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8),

სასურველი
EDFB164A1MA-GD-F-R TR

EDFB164A1MA-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 581

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 32Gb (512M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

ნაწილი საფონდო: 8824

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 1600MHz,

სასურველი
MT49H32M18CBM-25 IT:B

MT49H32M18CBM-25 IT:B

ნაწილი საფონდო: 8070

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MTFC16GALAHEA-WT TR

MTFC16GALAHEA-WT TR

ნაწილი საფონდო: 5502

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8),

სასურველი
EDFP112A3PB-GDTJ-F-D

EDFP112A3PB-GDTJ-F-D

ნაწილი საფონდო: 2595

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR

MT29F256G08CBCBBWP-10M:B TR

ნაწილი საფონდო: 4264

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

MT29F512G08CKCCBH7-6R:C

ნაწილი საფონდო: 1062

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
EDFA164A2PK-GD-F-R TR

EDFA164A2PK-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 407

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 16Gb (256M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT29F16G08AFABAWP:B

MT29F16G08AFABAWP:B

ნაწილი საფონდო: 9594

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 16Gb (2G x 8),

სასურველი
EDFP164A3PD-MD-F-D

EDFP164A3PD-MD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2910

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (384M x 64), საათის სიხშირე: 1067MHz,

სასურველი
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR

MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR

ნაწილი საფონდო: 10063

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი