მეხსიერება

MT29F1T08CQCCBG2-6R:C

MT29F1T08CQCCBG2-6R:C

ნაწილი საფონდო: 3519

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Tb (128G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MTFC8GACAAAM-1M WT

MTFC8GACAAAM-1M WT

ნაწილი საფონდო: 5530

სასურველი
MT28EW256ABA1HPC-1SIT

MT28EW256ABA1HPC-1SIT

ნაწილი საფონდო: 19910

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
MT25TL256BAA1ESF-0AAT

MT25TL256BAA1ESF-0AAT

ნაწილი საფონდო: 6998

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
MT49H16M18CSJ-25:B

MT49H16M18CSJ-25:B

ნაწილი საფონდო: 2652

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (16M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

ნაწილი საფონდო: 6546

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 512Gb (64G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT25QL02GCBA8E12-0SIT

MT25QL02GCBA8E12-0SIT

ნაწილი საფონდო: 7014

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 8ms, 2.8ms,

სასურველი
M25PE20-V6D11

M25PE20-V6D11

ნაწილი საფონდო: 8506

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), საათის სიხშირე: 75MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ms, 3ms,

სასურველი
EDS6432AFTA-75TI-E-D

EDS6432AFTA-75TI-E-D

ნაწილი საფონდო: 16846

სასურველი
MT29TZZZAD7EKKCY-107 W.97W TR

MT29TZZZAD7EKKCY-107 W.97W TR

ნაწილი საფონდო: 7101

სასურველი
MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F

MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F

ნაწილი საფონდო: 112

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR

MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 6851

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 64Gb (8G x 8), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
MT53B2DANP-DC

MT53B2DANP-DC

ნაწილი საფონდო: 2108

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR4,

სასურველი
EDF8164A3PF-JD-F-R TR

EDF8164A3PF-JD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 6027

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR

MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 5779

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 256Gb (32G x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR

MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR

ნაწილი საფონდო: 10468

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
EDF8164A3MA-GD-F-D

EDF8164A3MA-GD-F-D

ნაწილი საფონდო: 8366

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 8Gb (128M x 64), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
EDB2432BCPE-8D-F-D

EDB2432BCPE-8D-F-D

ნაწილი საფონდო: 8590

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 2Gb (64M x 32), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
N28H00CB03JDK11E

N28H00CB03JDK11E

ნაწილი საფონდო: 2377

სასურველი
RC28F128J3F75B TR

RC28F128J3F75B TR

ნაწილი საფონდო: 11741

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 75ns,

სასურველი
MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR

MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR

ნაწილი საფონდო: 10967

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 689

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 576Mb (32M x 18), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR

MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR

ნაწილი საფონდო: 7683

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR

MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR

ნაწილი საფონდო: 847

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Gb (16G x 8), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
MT49H8M36FM-25 IT:B TR

MT49H8M36FM-25 IT:B TR

ნაწილი საფონდო: 1057

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: DRAM, მეხსიერების ზომა: 288Mb (8M x 36), საათის სიხშირე: 400MHz,

სასურველი
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

ნაწილი საფონდო: 7003

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MT29F1G16ABBDAM68A3WC1

MT29F1G16ABBDAM68A3WC1

ნაწილი საფონდო: 9632

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16),

სასურველი
MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR

MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR

ნაწილი საფონდო: 7212

სასურველი
EDFP112A3PB-JDTJ-F-D

EDFP112A3PB-JDTJ-F-D

ნაწილი საფონდო: 2625

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDFB232A1MA-GD-F-R TR

EDFB232A1MA-GD-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 665

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 32Gb (1G x 32), საათის სიხშირე: 800MHz,

სასურველი
MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

ნაწილი საფონდო: 3248

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR, მეხსიერების ზომა: 8Gb (256M x 32), საათის სიხშირე: 208MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 14.4ns,

სასურველი
NAND128W3AABN6F TR

NAND128W3AABN6F TR

ნაწილი საფონდო: 1297

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 50ns,

სასურველი
EDFP112A3PF-JD-F-D

EDFP112A3PF-JD-F-D

ნაწილი საფონდო: 2661

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR3, მეხსიერების ზომა: 24Gb (192M x 128), საათის სიხშირე: 933MHz,

სასურველი
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

ნაწილი საფონდო: 16941

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: DRAM, ტექნოლოგია: SDRAM - Mobile LPDDR2, მეხსიერების ზომა: 512Mb (16M x 32), საათის სიხშირე: 533MHz,

სასურველი
MTFC4GMDEA-1M WT

MTFC4GMDEA-1M WT

ნაწილი საფონდო: 9995

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 32Gb (4G x 8),

სასურველი
MT29F2G16ABBFAH4:F TR

MT29F2G16ABBFAH4:F TR

ნაწილი საფონდო: 8936

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი